1樓：hi漫海
能級交錯是指電子層數較大的某些軌道的能量反低於電子層數較小的某些軌道能量的現象。如4s反而比3d的能量小，填充電子時應先充滿4s而後才填入3d軌道。過渡元素鈧的外層電子排布為4s23d1，失去電子時，按能級交錯應先失去3d電子，成為4s23d0，而從原子光譜實驗得知，卻是先失4s上的電子成為4s13d1。
這是由於3d電子的存在，削弱了原子核對4s電子的吸引而易失去的。過渡元素離子化時，大體是先失去ns電子，但也有先失去(n-1)d電子的，像釔等。能級交錯的順序不是絕對不變的，在原子序數大的原子中，3d軌道可能比4s軌道的能量低。
簡單的說，遮蔽效應由於電子相互作用引起的，表現為l相同時，n越大，就是電子離核平均距離越大，勢能越大，軌道能量越高。
鑽穿效應就是波函式徑向有n-l個峰，n相同時，l越小，峰越多，第一峰也鑽得越深，勢能越低，表現為n相同時，l越大，軌道能量越高。
當n,l綜合變化時，一般這麼看的：
能級交錯
能級交錯
對於原子的外層電子，n+0.7l越大，能量越高
對於離子的外層電子，n+0.4l越大，能量越高
對於原子或離子的內層電子，n越大，能量越高
這就造成了各能級的能量大小並不一定是按照n大小來排布的。
1、主量子數和角量子數之和越大，能量越高
2、主量子數和角量子數之和相等時，主量子數越大，能量越高
例如，4s軌道主量子數和角量子數之和為4，3d軌道主量子數和角量子數之和為5，於是4s軌道的能量低於3d軌道的能量；而3d軌道和4p軌道主量子數和角量子數之和均為5，但4p軌道的主量子數更大，於是4p軌道的能量高於3d軌道的能
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