1樓:匿名使用者
(bai1)由圖(a)可知讀du
出入射光強足夠大zhi時,開路電
壓dao恆定,大小為600v,即電內動勢為600mv,此時的短路電容流為6a,則r= e i =10 ω.(2)矽光電池的等效內阻等於開路電壓除以短路電流,當入射光強為10mw/cm 2 時,e=400mv,此時短路電流為5ma,則內阻為80ω,當入射光強為20mw/cm 2 時,e=550mv,此時短路電流為10ma,則內阻為55ω,入射光強為40mw/cm 2 時,e=575mv,此時短路電流為20ma,則內阻為28.75ω,...則入射光強從10mw/cm 2 開始逐漸增大的過程中,矽光電池的等效內阻將減小,故選b;(3)變阻器的功率p等於右邊的圖的u和i的乘積,由圖象可知:當電壓從0開始增加時,電流剛開始減小的比較慢,到某個值後,隨著電壓的增大,突然很快的減小到零,則功率p先增大的比較慢,然後突然快速減小到零,所以c答案正確.故選c 故答案為:
600;10;(1)b;(2)c.
矽光電池在測開路電壓和短路電流輸出特徵時對電壓表和電流表有什麼要求
2樓:匿名使用者
對電壓表要求輸入電阻要高,因為是開路電壓,就不能有電流,應該說:電流越小,測量就越準確。
對電流表的要求是,表的內阻是越小越好。所謂短路,就是電路的電阻為 0,電流表是串在電路中的,內阻大了,就不是短路電流了。
矽光電池的電動勢與入射光強之間的特性曲線稱為開路電壓曲線,光電流強度與光照強度之間的特性曲線稱為短
3樓:色色98韝
(1)由圖(a)可知讀出入射光強足夠大時,開路電壓恆定,大小為600v,即電動勢為600mv,此時的短路電流為6a,則r=e i
=10 ω.
(2)矽光電池的等效內阻等於開路電壓除以短路電流,當入射光強為10mw/cm2 時,e=400mv,此時短路電流為5ma,則內阻為80ω,當入射光強為20mw/cm2 時,e=550mv,此時短路電流為10ma,則內阻為55ω,入射光強為40mw/cm2 時,e=575mv,此時短路電流為20ma,則內阻為28.75ω,...則入射光強從10mw/cm2 開始逐漸增大的過程中,矽光電池的等效內阻將減小,故選b;
(3)變阻器的功率p等於右邊的圖的u和i的乘積,由圖象可知:當電壓從0開始增加時,電流剛開始減小的比較慢,到某個值後,隨著電壓的增大,突然很快的減小到零,則功率p先增大的比較慢,然後突然快速減小到零,所以c答案正確.
故選c故答案為:600;10;(1)b;(2)c.
光電池特性研究實驗的資料處理方法。
4樓:洋伶
一、實驗目的和內容 1.作出單色儀的校正曲線—單色儀的定標。2.
測定矽光電池的光譜響應—作出波長λ與矽光電池的靈敏度k ́(λ)的校正曲線。 3. 設計簡單的光路和電路,測量、研究矽光電池的主要引數和基本特性。
二、實驗基本原理光電池是一種光電轉換元件,它不需外加電源而能直接把光能轉換成電能。光電池的種類很多,常見的有硒、鍺、矽、砷化鎵、氧化銅、硫化鉈、硫化鎘等。其中最受重視、應用最廣的是矽光電池。
它有一系列的優點:效能穩定,光譜範圍寬,頻率響應好,轉換效率高,能耐高溫輻射等。同時它的光譜靈敏度與人眼的靈敏度最相近,所以,它在很多分析儀器、測量儀器、**表以及自動控制檢測、計算機的輸入和輸出上用作探測元件,在現代科學技術中佔有十分重要的地位。
本實驗僅對矽光電池的光譜響應進行測量和研究,對其他基本特性和簡單應用作初步的瞭解。 矽光電池是一種p-n結的單結光電池,當光照射到p-n結時,由光激發的光生載流子的遷移,使p-n結兩端產生了光生電動勢,如果它與外電路中的負載接通,則負載電路中將有光電流產生。 (1)矽光電池的主要引數和照度特性 1)開路電壓曲線。
矽光電池在一定的光照條件下的光生電動勢稱為開路電壓,開路電壓與入射光強照度ee的特性曲線稱為開路電壓曲線,開路電壓可直接用電位差計讀出。(當所測電壓超過電位差計量程時,自行設法擴大量程) 2)短路電流曲線。在一定光照條件下,光電池被短路(負載電阻r=0)時,所輸出的光電流值稱為短路光電流。
光電流密度je與照度ee的特性曲線稱為短路電流曲線。 3)試研究開路電壓、短路電流與受光面積的關係。 (2)矽光電池的負載特性 1)矽光電池的伏安特性與最佳匹配。
隨著負載電阻的變化,迴路中電流i和矽光電池兩端的電壓u相應地變化,稱為矽光電池的伏安特性。通過負載特性的研究,就可知道在某一負載電阻時其輸出功率最大,這稱為最佳匹配,所用負載電阻又稱為最佳匹配電阻。 2)矽光電池的內阻。
從理論上可以推匯出矽光電池的內阻rs等於開路電壓除以短路電流。可以觀察到光照面積不同時,矽光片的內阻將發生變化。 (3)矽光電池的溫度特性(供選做參考)。
矽光電池的開路電壓、短路電流隨溫度t變化的曲線表徵了它的溫度特性。這種矽光電池的溫度漂移,直接影響到測量精度與控制精度。一般開路電壓隨溫度增加而迅速下降,路短電流隨溫度增加而緩慢上升。
在具體應用和設計儀器時,應考慮溫度的漂移,要採取相應的措施進行補償。 (4)矽光電池的光譜響應特性 用光電法測量光的強度,光的能量時,一般是採用光電管、光電倍增管、矽光電池、半導體光電二極體、炭鬥和熱電堆等光電器件。但這些器件各有它們的特點。
使用時必需瞭解它的特性,它們對各波段的靈敏度如何?也就是它們的光譜響應怎麼樣? 國產的矽光電池靈敏度比較高,尤其在長波,靈敏度更高。
但相對來說,在450奈米以下的短波與長波比較它的靈敏相差很大,光譜響應比較差。因此,測定矽光電池的靈敏度是很重要的了。 實驗中採用2cr 型系列的矽光電池。
並用熱電堆對各個波長的靈敏度比較均勻這個特點來作標準,求出矽光電池相對光譜靈敏度。 其做法是假設在某個波長,熱電堆的光譜靈敏度為k(λ),矽光電池的光譜靈敏度k ́(λ);單色儀的透過率為t(λ);熱電堆與矽光電池的輸出訊號大小分別為d(λ)和d ́(λ);光源(這裡用白熾燈)的輻射能量的發射本領為e(λ)。它們的關係分別為:
d(λ)= e(λ)k(λ)t(λ) (1) d ́(λ)= e(λ)k ́(λ)t(λ) (2)(1)和(2)兩式相除得: d(λ)/ d ́(λ)= k(λ)/ k ́(λ) (3)因為熱電堆的光譜響應均勻,即無選擇性,靈敏度基本上是一樣的。為此,我們用熱電堆作為標準,並假定它的光譜靈敏度為一個常數。
為了計算方便,這裡假定k(λ)等於1.則(3)式變為 k ́(λ)= d ́(λ)/ d(λ) (4)用這個關係式就可以求出矽光電池的相對光譜靈敏度即光譜響應。
三、實驗用具與裝置圖 實驗用具:單色儀,acii型光電檢流計,經過穩壓的光源(白熾燈),矽光電池和熱電堆等。 裝置如下圖:
s1和s2分別為單色儀的輸入和輸出狹縫。g為探測器(矽光電池或熱電堆)l為聚焦透鏡,它把白熾燈的光束聚焦成象在狹縫上。
矽光電池照度與短路電流和開路電壓的關係試驗中研究在什麼條件下電流表可以換擋測
5樓:匿名使用者
矽光電池照度越大,短路電流越大,開路電壓越越大,但開路電壓影響不大
假設已知面積1cm^2的矽光電池在500lx光照條件下開路電壓為0.48v,短路電流 80
6樓:吹情用東京夜宴
你好,bai
物理上規定電流du的方向,是正電荷zhi定向移動的dao方向版。電流運動方向與電子運動權方向相反。
電荷指的是自由電荷,在金屬導體中的自由電荷是自由電子,在酸,鹼,鹽的水溶液中是正離子和負離子。
在電源外部電流由正極流向負極。在電源內部由負極流回正極。
在矽光電池實驗中,入射光強為什麼會影響開路電壓和短路電流,為什麼入射光強會影響內阻
7樓:匿名使用者
入射光會影響矽光電池上由於光照產生的電子在n型區的積累及光生空穴在p型區的積累,會在pn對的兩側產生一個穩定的電位差,光強不同所產生的電子和空穴也會有變化,所以入射光強會影響開路電壓和短路電流。
如何將矽光電池的短路電流放大轉換成電壓?
8樓:匿名使用者
問 矽光電池的受光bai面du為什麼是藍色的?
答 為了減少
zhi光線在矽光電池表面的
dao反射,在專它的表面還蒸有一屬層一氧化矽抗反射膜,可以使反射係數由30%
問 有什麼作用?
矽光電池是一種直接把光能轉換成電能的半導體器件。它的結構很簡單,核心部分是一個大面積的pn結,大家可以自己做一個簡單的實驗,把一隻透明玻璃外殼的點接觸型二極體與一塊微安表接成閉合迴路,當二極體的管芯(pn結)受到光照時,你就會看到微安表的錶針發生偏轉,顯示出迴路裡有電流,這個現象稱為光生伏特效應。矽光電池的pn結面積要比二極體的pn結大得多,所以受到光照時產生的電動勢和電流也大得多。
例如,國產2cr型矽光電池在100mw/cm2的入射光強下,開路電壓(需用高內阻的直流毫伏計測量)為450~600mv,短路電流為16~30ma,轉換效率為6%~12%
在矽光電池實驗中,入射光強為什麼會影響開路電壓和短路電流，為
入射光會影響矽光電池上由於光照產生的電子在n型區的積累及光生空穴在p型區的積累，會在pn對的兩側產生一個穩定的電位差，光強不同所產生的電子和空穴也會有變化，所以入射光強會影響開路電壓和短路電流。矽光電池的電動勢與入射光強之間的特性曲線稱為開路電壓曲線，光電流強度與光照強度之間的特性曲線稱為短 1 由...
有機矽耐熱漆的主要特性，有機矽耐熱油漆執行什麼標準
耐熱效能優異 耐侯效能優異 耐水性 耐化學品效能好 附著力強，機械效能好。分為三個檔次。型為各色有機矽耐熱漆 型為銀白有機矽耐熱漆 型為黑色有機矽陶瓷耐熱漆。主要用途 型適用於能耐300 高溫的各類裝置零件，如大型鍋爐 高溫蒸汽管 煙道等 型適用於塗覆需耐500 高溫裝置的鋼鐵零件，如發動機外殼 排...
可控矽怎麼檢查好壞，如何判斷可控矽的好與壞最簡單的方法
一 單向可控矽工作原理 可控矽導通條件 一是可控矽陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控矽才會處於導通狀態。另外，可控矽一旦導通後，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控矽仍然導通。可控矽關斷條件 降低或去掉加在可控矽陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電...