1樓：蘇州金子盛電子
sop 是我們行業裡對貼片封裝元器件的總稱。
so8是8管腳的貼片元器件。
畫pcb時用的是so8封裝，但是隻能買到sop封裝的同種晶片，可用否？這個要看具體的尺寸。
ic封裝sop8l和sop8有什麼區別
2樓：匿名使用者
so8與so-8封裝相同， sop8與sop-8封裝相同。 so8封裝比sop8封裝差不多，只是略大一點。 在pcb板子上，兩種之間沒有區別
3樓：匿名使用者
尺寸不一樣制
寬體sop8封裝 sop8l 引腳間距
bai1.27mm，晶片du
本體寬度為5.27mm,總長7.90mm
參見 zhi接">網頁連結
窄體sop8封裝dao sop8 引腳間距1.27mm，晶片本體寬度為3.90mm,總長6.00mm
參見 網頁連結 或者 網頁連結
關於電子元件的封裝？像那些sop/soj/sot/ic……這些有關係麼？是什麼區別與聯絡？
4樓：匿名使用者
常見的直插式封裝如雙列直插式封裝（dip），電晶體外形封裝（to），插針網格陣列封裝（pga）等。
典型的表面貼裝式如電晶體外形封裝（d-pak），小外形電晶體封裝（sot），小外形封裝（sop），方形扁平封裝（qfp），塑封有引線晶片載體（plcc）等。電腦主機板一般不採用直插式封裝的mosfet，本文不討論直插式封裝的mosfet。
一般來說，「晶片封裝」有2層含義，一個是封裝外形規格，一個是封裝技術。對於封裝外形規格來說，國際上有晶片封裝標準，規定了統一的封裝形狀和尺寸。封裝技術是晶片廠商採用的封裝材料和技術工藝，各晶片廠商都有各自的技術，併為自己的技術註冊商標名稱，所以有些封裝技術的商標名稱不同，但其技術形式基本相同。
我們先從標準的封裝外形規格說起。
to封裝
to（transistor out-line）的中文意思是「電晶體外形」。這是早期的封裝規格，例如to-92，to-92l，to-220，to-252等等都是插入式封裝設計。近年來表面貼裝市場需求量增大，to封裝也進展到表面貼裝式封裝。
to252和to263就是表面貼裝封裝。其中to-252又稱之為d-pak，to-263又稱之為d2pa k。
-pak封裝的mosfet有3個電極，柵極（g）、漏極（d）、源極（s）。其中漏極（d）的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極（d），直接焊接在pcb上，一方面用於輸出大電流，一方面通過pcb散熱。所以pcb的d-pak焊盤有三處，漏極（d）焊盤較大。
sot封裝
sot（**all out-line transistor）小外形電晶體封裝。這種封裝就是貼片型小功率電晶體封裝，比to封裝體積小，一般用於小功率mosfet。常見的規格如上。
主機板上常用四端引腳的sot-89 mosfet。
sop封裝
sop（**all out-line package）的中文意思是「小外形封裝」。sop是表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(l 字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。
sop也叫sol 和dfp。sop封裝標準有sop-8、sop-16、sop-20、sop-28等等，sop後面的數字表示引腳數。mosfet的sop封裝多數採用sop-8規格，業界往往把「p」省略，叫so（**all out-line ）。
so-8採用塑料封裝，沒有散熱底板，散熱不良，一般用於小功率mosfet。
so-8是philip公司首先開發的，以後逐漸派生出tsop（薄小外形封裝）、vsop（甚小外形封裝）、 ssop（縮小型sop）、tssop（薄的縮小型sop）等標準規格。
這些派生的幾種封裝規格中，tsop和tssop常用於mosfet封裝。
qfn-56封裝
qfn（quad flat non-leaded package）是表面貼裝型封裝之一，中文叫做四邊無引線扁平封裝，是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝晶片封裝技術。現在多稱為lcc。qfn是日本電子機械工業會規定的名稱。
封裝四邊配置有電極接點，由於無引線，貼裝佔有面積比qfp小，高度比qfp低。這種封裝也稱為lcc、pclc、p－lcc等。qfn本來用於積體電路的封裝，mosfet不會採用的。
intel提出的整合驅動與mosfet的drmos採用qfn-56封裝，56是指在晶片背面有56個連線pin。
最新封裝形式
由於cpu的低電壓、大電流的發展趨勢，對mosfet提出輸出電流大，導通電阻低，發熱量低散熱快，體積小的要求。mosfet廠商除了改進晶片生產技術和工藝外，也不斷改進封裝技術，在與標準外形規格相容的基礎上，提出新的封裝外形，併為自己研發的新封裝註冊商標名稱。
下面分別介紹主要mosfet廠商最新的封裝形式。
瑞薩（renesas）的wpak、lfpak和lfpak-i 封裝
wpak是瑞薩開發的一種高熱輻射封裝，通過仿d-pak封裝那樣把晶片散熱板焊接在主機板上，通過主機板散熱，使小形封裝的wpak也可以達到d-pak的輸出電流。wpak-d2封裝了高/低2顆mosfet，減小布線電感。
lfpak和lfpak-i是瑞薩開發的另外2種與so-8相容的小形封裝。lfpak類似d-pak比d-pak體積小。lfpak-i是將散熱板向上，通過散熱片散熱。
威世power-pak和polar-pak封裝
power-pak是威世公司註冊的mosfet封裝名稱。power-pak包括有power-pak1212-8、power-pak so-8兩種規格。polar pak是雙面散熱的小形封裝。
安森美的so-8和wdfn8扁平引腳封裝
安美森半導體開發了2種扁平引腳的mosfet，其中so-8相容的扁平引腳被很多主機板採用。
菲利普（philps）的lfpak和qlpak封裝
首先開發so-8的菲利普也有改進so-8的新封裝技術，就是lfpak和qlpak。
意法（st）半導體的powerso-8封裝
法意半導體的so-8改進技術叫做power so-8。
飛兆（fairchild）半導體的power 56封裝
國際整流器（ir）的direct fet封裝
direct fet封裝屬於反裝型的，漏極（d）的散熱板朝上，並覆蓋金屬外殼，通過金屬外殼散熱。
內部封裝技術
前面介紹的最新封裝形式都是mosfet的外部封裝。這些最新封裝還包括內部封裝技術的改進，儘管這些新封裝技術的商標名稱多種多樣，其內部封裝技術改進主要有三方面：一是改進封裝內部的互連技術，二是增加漏極散熱板，三是改變散熱的熱傳導方向。
封裝內部的互連技術:
早期的標準封裝，包括to，d-pak、sot、sop，多采用焊線式的內部互連，在cpu核心電壓較高，電流較小時期，這種封裝可以滿足需求。當cpu供電進展到低電壓、大電流時代，焊線式封裝就難以滿足了。以標準焊線式so-8為例，作為小功率mosfet封裝，發熱量很小，對晶片的散熱設計沒有特別要求。
主機板的區域性小功率供電（風扇調速）多采用這種so-8的mosfet。但用於現代的cpu供電就不能勝任了。這是由於焊線式so-8的效能受到封裝電阻、封裝電感、pn結到pcb和外殼的熱阻等四個因素的限制。
封裝電阻
mosfet在導通時存在電阻（rds(on)），這個電阻包括晶片內pn結電阻和焊線電阻，其中焊線電阻佔50%。rds(on)是影響mosfet效能的重要因素。
封裝電感
內部焊線的引線框封裝的柵極、源極和漏極連線處會引入寄生電感。源極電感在電路中將會以共源電感形式出現，對mosfet的開關速度有著重大影響。
晶片pn結到pcb的熱阻
晶片的漏極粘合在引線框上,引線框被塑封殼包圍，塑料是熱的不良導體。漏極的熱傳導路徑是晶片→引線框→引腳→pcb，這麼長的路徑必然是高熱阻。至於源極的熱傳導還要經過焊線到pcb，熱阻更高。
晶片pn結到外殼(封裝頂部)的熱阻
由於標準的so-8採用塑料包封,晶片到封裝頂部的傳熱路徑很差
上述四種限制對其電學和熱學效能有著極大的影響。隨著電流密度要求的提高,mosfet廠商採用so-8的尺寸規格，同時對焊線互連形式進行改進，用金屬帶、或金屬夾板代替焊線，降低封裝電阻、電感和熱阻。
國際整流器（ir）稱之為copper strap技術，威世（vishay）稱之為power connect 技術，還有稱之為wireless package。
據國際半導體報道，用銅帶取代焊線後，熱阻降低了10-20%，源極至封裝的電阻降低了61%。特別一提的是用銅帶替換14根2-mil金線，晶片源極電阻從1.1 m降到 0.
11 m。
漏極散熱板
標準so-8封裝採用塑料把晶片全部包圍，低熱阻的熱傳導通路只是晶片到pcb的引腳。底部緊貼pcb的是塑料外殼。塑料是熱的不良導體，影響漏極的散熱。
封裝的散熱改進自然是除去引線框下方的塑封混合物，讓引線框金屬結構直接（或者加一層金屬板）與pcb接觸,並焊接到pcb焊盤上。它提供了大得多的接觸面積,把熱量從晶片上導走。這種結構還有一個附帶的好處,即可以製成更薄的器件,因為塑封材料的消除降低了其厚度。
世的power-pak，法意半導體的power so-8，安美森半導體的so-8 flat lead，瑞薩的wpak、lfpak，飛兆半導體的power 56和bottomless package都採用這種散熱技術。
改變散熱的熱傳導方向
power-pak封裝顯著減小了晶片到pcb的熱阻，實現晶片到pcb的高效率傳熱。不過，當電流的需求繼續增大時，pcb也將出現熱飽和，因此散熱技術的進一步改進是改變散熱方向，讓晶片的熱量傳導到散熱器而不是pcb。
瑞薩的lfpak-i 封裝，國際整流器的direct fet封裝就是這種散熱技術。
整合驅動ic的drmos
傳統的主機板供電電路採用分立式的dc/dc降壓開關電源，分立式方案無法滿足對更高功率密度的要求，也不能解決較高開關頻率下的寄生引數影響問題。隨著封裝、矽技術和整合技術的進步，把驅動器和mosfet整合在一起，構建多晶片模組（mcm）已經成為現實。。與分立式方案相比，多晶片模組可以節省相當可觀的空間並提高功率密度，通過對驅動器和mosfet的優化提高電能轉換效率以及優質的dc電流。
這就是稱之為drmos的新一代供電器件。
drmos的主要特點是：
- 採用qfn56無腳封裝，熱阻抗很低。
- 採用內部引線鍵合以及銅夾帶設計，儘量減少外部pcb佈線，從而降低電感和電阻。
- 採用先進的深溝道矽(trench silicon)mosfet工藝，顯著降低傳導、開關和柵極電荷損耗。
- 相容多種控制器，可實現不同的工作模式，支援aps（auto phase switching）。
- 針對目標應用進行設計的高度優化。
mosfet發展趨勢
伴隨計算機技術發展對mosfet的要求，mosfet封裝技術的發展趨勢是效能方面高輸出、高密度、高頻率、高效率，體積方面是更趨向小形化。
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這些0402，0603，0805封裝，表示外形體積大小，即封裝尺寸的。主要是長和寬，詳細資料見下表。電阻電容中的0402,0603,0805封裝有什麼區別？貼片電容和貼片電阻的規格尺寸 就是你說的 封裝 採用英制 表示。0402，0603，0805三者的最主要區別就是 外形尺寸的不同。當然因為貼片電...
請問有誰知道，SOT 23封裝（貼片三極體封裝）絲印為EK
幫你找了兩個，一個是三極體，一個是提供復位訊號ic，引數及電路應用看下圖。希望能幫你解決問題。有做 看我個人資料 有我的聯絡方式 請問有誰知道，sot 23封裝 貼片三極體封裝 絲印為6bw npn 是什麼元件，搜不到呀？急！bc817 25 bc817系列 nxp品牌 bc817，6dw，made...
SOT23封裝,絲印A4,是什么元件
還有一個，圖示像m，上行b07，中行p03，下行ceh0638 這個有沒有實物圖確認 一般qfn或llp封裝的元件，有的公司統稱pa。其實就是模組。雙二極體，輸出5v的有 向左轉 向右轉 是這個麼 sot23封裝的三極體，表面絲印是a44，請問是什麼型號的三極體 10 就是a44唄 絲印不打成3d ...