1樓：驀然回首
電容bai的寄生電感和du寄生電阻
主要是指它的引zhi線和極板形成的dao電感和電阻，尤其版是容量權較大的電容更為明顯。如果你解剖過電容器，會看到它的極板是用長達1米的金屬薄膜捲曲而成的，其層狀就像一個幾
十、甚至上百圈的線圈，這樣，兩條極板之間產生電容效應的同時，也產生了電感效應和電阻效應。因為，這種電感和電阻並不是製造電容的本意，而只是難以避免的附加效應，所以叫做寄生電容和寄生電阻。一旦電容被製作好，其寄生電容和寄生電阻的大小也就確定了。
電容的寄生電感和寄生電阻是怎麼回事
2樓：匿名使用者
電容的實際模型應該是一個電容，一個電感，一個電阻的串聯，這個電感和電阻就是寄生電感esl和電阻esr，是實際存在的，不論多好的生產工藝都不能去除。
其實很好理解，任何物體的兩點間都會有電阻、電感和電容，其值不會是無窮大，也不會是0，是必然存在的。
寄生電阻是隨訊號頻率變化的，而且不是一個方向的變化，隨頻率升高先升後降又升。溫度對其也有影響。
我理解寄生電感是不隨頻率變化的。
硬之城有這個型號的 可以去看看有這方面的資料麼
電容器的雜散電感和寄生電感的區別是什麼？
3樓：小元寶
雜散電感抄由電路中的導體如：連線導線、元件bai引du線、元件本體等呈現出zhi來的等效電感 。
隨著雜散電感的增大，
daoigbt的開通損耗會降低，二極體損耗則會增大。雜散電感還可能導致振盪，比如由電流突變引起的振盪，這可能導致由於emi或過壓限制而引起的器件使用受限。
igbt技術不能落後於應用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的igbt晶片以滿足具體應用的需求。與逆變器設計應用功率或各自額定電流水平相關的開關速度和軟度要求是推動這些不同型號器件優化的主要動力。
這些型號包括具備快速開關特性的t4晶片、具備軟開關特性的p4晶片和開關速度介於t4和p4之間的e4晶片。
隨著雜散電感的增大，igbt的開通損耗會降低，二極體損耗則會增大。雜散電感還可能導致振盪，比如由電流突變引起的振盪，這可能導致由於emi或過壓限制而引起的器件使用受限。
寄生電感一半是在pcb過孔設計所要考慮的。
4樓：匿名使用者
最佳答案檢舉 分佈bai電容：du必須注意到的是，不只是電容器zhi中才具
dao有電容，實際上兩導體之版間都存在電容。權例如，兩根傳輸線之間，每跟傳輸線與大地之間，都是被空氣介質隔開的，所以，也都存在著電容。一般情況下，這個電容值很小，它的作用可忽略不計，如果傳輸線很長或所傳輸的訊號頻率高時，就必須考慮這電容的作用，另外在電子儀器中，導線和儀器的金屬外殼之間也存在電容。
上述這些電容通常叫做分佈電容，雖然它的數值很小，但有時卻會給傳輸線路或儀器裝置的正常工作帶來干擾。
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由於佈線構之間總是有互容，互感就好像是寄生在佈線之間的一樣，所以叫寄生電容。
寄生電容一般是指電感，電阻，晶片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。實際上，一個電阻等效於一個電容，一個電感，和一個電阻的串連，在低頻情況下表現不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。在計算中我們要考慮進去。
esl就是等效電感，esr就是等效電阻。不管是電阻，電容，電感，還是二極體，三極體，mos管，還有ic，在高頻的情況下我們都要考慮到它們的等效電容值，電感值。
電容的寄生電感是怎麼產生？為什麼隨著頻率變化？
5樓：匿名使用者
電容器的寄生電感一般是由器件的電極和引線的殘餘電感引起的，其電感值不會隨頻率變化，但由電感引起的等效阻抗會隨頻率增加而增大，如z=2pai*f*l。更準確的解釋可以去搜尋一下相關資料。
分佈電容和寄生電容式本質上是一回事嗎？
6樓：匿名使用者
分佈電容：必須注意到的是，不只是電容器中才具有電容，實際上兩導體之間都存在電容內。例如，容兩根傳輸線之間，每跟傳輸線與大地之間，都是被空氣介質隔開的，所以，也都存在著電容。
一般情況下，這個電容值很小，它的作用可忽略不計，如果傳輸線很長或所傳輸的訊號頻率高時，就必須考慮這電容的作用，另外在電子儀器中，導線和儀器的金屬外殼之間也存在電容。上述這些電容通常叫做分佈電容，雖然它的數值很小，但有時卻會給傳輸線路或儀器裝置的正常工作帶來干擾。
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由於佈線構之間總是有互容，互感就好像是寄生在佈線之間的一樣，所以叫寄生電容。
寄生電容一般是指電感，電阻，晶片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。實際上，一個電阻等效於一個電容，一個電感，和一個電阻的串連，在低頻情況下表現不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。在計算中我們要考慮進去。
esl就是等效電感，esr就是等效電阻。不管是電阻，電容，電感，還是二極體，三極體，mos管，還有ic，在高頻的情況下我們都要考慮到它們的等效電容值，電感值。
你好，我見到你問過一個關於電感電容寄生電阻怎麼測量。你能告訴我怎麼測量嗎
7樓：
用lcr測試儀測量！
好的測試儀可以測試寄生引數的！
頻率與電容的關係是什麼？
8樓：我的影子很苗條
電容與頻率是離不開的，關係應該是很密切的。
1.大容量的電容對高頻的響應很差對低頻的響應卻好，而容量小的電容對低頻的響應很差而對高頻的響應卻非常好。
電容容量與頻率是曲線關係，在諧振點之前，電容容量隨頻率的增加而減小，在諧振點之後，電容容量隨頻率的增加而增加。
上面說的曲線關係，是電容量與頻率的關係，即z(=esr+jwl-j/wc)與頻率的關係。在低頻範圍內，電容呈現容抗特性；中頻範圍內，主要是esr特性；高頻範圍內，感抗佔主導作用。
簡單得說，就是器件上不可避免得帶有寄生電感和寄生電容。隨著頻率的提高，電容的電抗值將越來越接近0，而寄生電感的電抗值卻逐漸增大，最後超過電容的電抗而使整個器件表現為電感性。容量越大的電容，其高頻電抗值越接近0，就越容易被本身的寄生電感所超越。
這個在數學上也很簡單，把電容等效成電容+寄生電感+寄生電阻，如green novice所說，z=esr+jwl-j/wc，其低頻為電容性，高頻為電感性，在諧振頻率上表現為一個純電阻。 同理，電感在高頻也可能表現為電容性，而且越大的電感越容易發生這樣的事情。
2.電容的大小和頻率也與它們的製造工藝有關係。
電容與頻率的關係是曲線的，有沒有這方面的關係計算式。可以在實踐在套用。
設計時應確定使用高頻低頻中頻三種去耦電容，中頻與低頻去耦電容可根據器件與pcb功耗決定,可分別選47-1000uf和470-3300uf；高頻電容計算為: c="p/v"*v*f
頻率特性：指電容器的電引數隨電場頻率而變化的性質。在高頻條件下工作的電容器，由於介電常數在高頻時比低頻時小，電容量也相應減小，損耗也隨頻率的升高而增加。
另外，在高頻工作時，電容器的分佈引數，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響電容器的效能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。
理論和實驗表明 平行板電容器的電容c跟介電常數ε成正比 跟正對面積成反比 根極板間的距離d成反比 有?c=εs/4πkd?式中k為靜電力常量?介電常數ε由兩極板之間介質決定??
電容對交流電的阻礙作用叫做容抗。電容量大，交流電容易通過電容，說明電容量大，電容的阻礙作用小；交流電的頻率高，交流電也容易通過電容，說明頻率高，電容的阻礙作用也小。實驗證明，容抗和電容成反比，和頻率也成反比。
如果容抗用xc表示，電容用c（f）表示，頻率用f（hz)表示，那麼xc=1/2πfc 容抗的單位是歐。知道了交流電的頻率f和電容c，就可以用上式把容抗計算出來。
線圈的電感對交流電有阻礙作用，這個阻礙叫做感抗。電感量大，交流電難以通過線圈，說明電感量大，電感的阻礙作用大；交流電的頻率高，交流電也難以通過線圈，說明頻率高，電感的阻礙作用也大。實驗證明，感抗和電感成正比，和頻率也成正比。
如果感抗用xl表示，電感用l（h）表示，頻率用f（hz)表示，那麼xl=2πfl感抗的單位是歐。知道了交流電的頻率f和線圈的電感l，就可以用上式把感抗計算出來。
請教電容和電感並聯後的作用,電感線圈與電容並聯起什麼作用,可以直連不
電容並聯 總電容量各電容用增加容量 電容串聯般用 總容量減總耐壓各電容耐壓用工作電壓較高電路 或使用工作電壓較低電容 電串 電量各電用增電量電並 工作電流各電電流用電流較電路 或使用額定電流較電 電感和電容並聯後，成為諧振電路，電感電流滯後電壓90度，電容電流超前電壓90度，這就說明電感電流與電容電...
電感和電容的單位進位制換算分別是什麼
電感較常用的單位有h mh h 換算關係為1h 1000mh，1mh 1000 h 電容較常用的單位有f f nf pf 換算關係為1f 1000000 f，1 f 1000nf 1000000pf。電容一般不用mf這個單位。電感 電感線圈 是用絕緣導線繞制而成的電磁感應元件，也是電子電路中常用的元...
電感和電容並聯對交流電的影響原理
電感電流 與電容電流相差180度，一部分電流抵消掉了，在外部看來，電流減小了阻抗增加了。根據電磁感應定律，當導體周圍的磁場發生變化，感應電流在導體中產生。兩個電感線圈相互靠近時，一個電感線圈的磁場變化將影響另一個電感線圈，這種影響就是互感。互感的大小取決於電感線圈的自感與兩個電感線圈耦合的程度。電容...