怎麼用微控制器的電壓控制nmos管開關,型號irf640,就是

2021-04-19 06:17:56 字數 4645 閱讀 9371

1樓:匿名使用者

當三極體用啊,只要g極電平變化大於5v就行,在g極前驅一個pnp三極體效果會好些,而且有保護微控制器的作用。

場效電晶體如何做開關使用,硬體如何連,微控制器如何控制?

2樓:匿名使用者

如果只是要控制12v繼電器開合,是不是太浪費了呢,一個irf640要3塊錢左右,用一個三極體不是很好吧,如果要驅動irf640還得用到光耦,成本太大,如果要用的話圖上的就可以,光耦那裡是4路的,你選一路就行了 ,p1.0給出一個低電平到pc817的2腳《圖可看出》即可

3樓:渢

你去查查irf640的驅動方法吧。

這兩顆引數類似,irf640n是irf640的改進型,導通電阻要小一些

這顆mos驅動vgs電壓至少超過10v以上拿3.3v電壓肯定控制不了的。

加一級三極體或者光偶把控制電平提升到12v試試

能直接用 51微控制器 的引腳 驅動mos管的 g極的嗎?想做個控制開關,最好回答有原理圖。一定採納

4樓:匿名使用者

不行。51的電壓不合適,高壓太低,mos管開啟狀態不好,沒有徹底導通(mos管導通比較好,最好在10v以上),低壓太高,mos管的關閉比開啟困難很多,最好是負電壓去關,否則不容易關死。

要開關mos管,g前面加一個電壓比較器更好。

5樓:江湖一小生

不能,最近在做這個,得加一個驅動電路,51輸出引腳電壓太低,我用的irf540,用ir2110驅動,還的把ir2110的輸入引腳電壓調到8至10付。

6樓:匿名使用者

如果控制電流不大(< 2a~3a ) 可以用左圖, r5+led1 可以換成需要控制的 負載,

電壓根據負載電壓。

如果控制電流比較大(> 3a ) 可以用右圖, r5+led1+led2+led3 可以換成需要控制的 負載,

電壓根據負載電壓。注意mos管的 g極 電壓 不可以 高於 20 v.

微控制器輸出口用mos管做為開關,24v電壓,mos管型號irf9640不,下面的電路會有問題嗎?

7樓:匿名使用者

1、你的電路應使用nmos的管抄子

2、這種結構電bai路結構基本上沒有大

du的意義,既然你打算選用zhiirf9640,估計你想dao驅動大的負載,那麼你這個電路的驅動就成問題了建議你去找一些mos管推動方面的資料看看

8樓:匿名使用者

你的mos管用錯了、正電壓應該用nmos。如果只是控制電平的轉換的話、是可以的

9樓:匿名使用者

你是不是要把24v換個方向,光偶也要換個方向,或者nmos,你看他內不有個穩壓二極體,像你那樣接,電壓會一直鉗位在0.7伏。不能用

求一個微控制器控制mos管的電路圖

10樓:天晴電子玩家

電路原理圖:

如果驅動的東西(功率)很大,(大電流、大電壓的場合),最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等~~  此時既要隔離傳送控制訊號(例如pwm訊號),也要給驅動級(mos管的推動電路)傳送電能。

常用的訊號傳送有pc923  pc929  6n137  tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc,這樣可以降低成本。

11樓:zzx梓

微控制器驅動mos管電路主要根據mos管要驅動什麼東西, 要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以,要注意電感類負載要加保護二極體和吸收緩衝,最好用n溝道的mos。

如果驅動的東西(功率)很大,(大電流、大電壓的場合),最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等。此時既要隔離傳送控制訊號(例如pwm訊號),也要給驅動級(mos管的推動電路)傳送電能。

常用的訊號傳送有pc923  pc929  6n137  tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc,這樣可以降低成本。然後mos管有一種簡單的驅動方式:

2sc1815+2sa1015,npn與pnp一個用於mos開啟驅動,一個用於mos快速關斷。

擴充套件資料:

mos管主要引數

開啟電壓vt

開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極s和漏極d之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓;

標準的n溝道mos管,vt約為3~6v;·通過工藝上的改進,可以使mos管的vt值降到2~3v。

2. 直流輸入電阻rgs

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時以流過柵極的柵流表示

mos管的rgs可以很容易地超過1010ω。

3. 漏源擊穿電壓bvds

在vgs=0(增強型)的條件下 ,在增加漏源電壓過程中使id開始劇增時的vds稱為漏源擊穿電壓bvds

有些mos管中,其溝道長度較短,不斷增加vds會使漏區的耗盡層一直擴充套件到源區,使溝道長度為零,即產生漏源間的穿通,穿通後,源區中的多數載流子,將直接受耗盡層電場的吸引,到達漏區,產生大的id

4. 柵源擊穿電壓bvgs

在增加柵源電壓過程中,使柵極電流ig由零開始劇增時的vgs,稱為柵源擊穿電壓bvgs。

5. 低頻跨導gm

在vds為某一固定數值的條件下 ,漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導

gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力,是表徵mos管放大能力的一個重要引數

一般在十分之幾至幾ma/v的範圍內

6. 導通電阻ron

導通電阻ron說明了vds對id的影響 ,是漏極特性某一點切線的斜率的倒數

在飽和區,id幾乎不隨vds改變,ron的數值很大,一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由於在數位電路中 ,mos管導通時經常工作在vds=0的狀態下,所以這時的導通電阻ron可用原點的ron來近似

對一般的mos管而言,ron的數值在幾百歐以內

7. 極間電容

三個電極之間都存在著極間電容:柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds

cgs和cgd約為1~**f,cds約在0.1~1pf之間

8. 低頻噪聲係數nf

噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在,就使一個放大器即便在沒有訊號輸人時,在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化

噪聲效能的大小通常用噪聲係數nf來表示,它的單位為分貝(db)。這個數值越小,代表管子所產生的噪聲越小

低頻噪聲係數是在低頻範圍內測出的噪聲係數

場效電晶體的噪聲係數約為幾個分貝,它比雙極性三極體的要小

12樓:love肖工

直接pwm輸出口接一個

小電阻到mos管的g極,然後gs間接一個10k的電阻,常用接法。然後d接vcc。gs間接一個電阻有兩個作用,一是mos關斷的時候,防止mos誤導通。

還有沒有上電的時候能防止一定的靜電損壞;二是mos關斷時,提供一個通道給g極放電,加速關斷。

13樓:匿名使用者

protel給你畫

可以嗎

如何用3.3v微控制器驅動mos管

14樓:匿名使用者

用三極體不如用uln2803,一個uln2803可以驅動8只mos管。沒有其他電路。 直接可以連線,簡單方便。

做h橋的話,可以控制2路,如果只控制一路,也可以用uln2003.

補充:你肯定沒有看這兩個ic,輸出12v沒有問題,最高輸出電壓50v,最高輸出電流500ma,內部整合了續流二極體,基極電阻。直接上一個**即可。

其實這個**裡面就是整合的達林頓管,和用三極體是一樣的道理。 可靠性比分立元件高。

15樓:匿名使用者

要注意,mos大功率開關的柵極電壓要足夠高才行一般在4.5v左右可認為mos飽和導通,參看irf3205引數。柵極當然也不能太高,不能超過20v。

不知道你的電路可否有5v以上其他電源?如果沒有的話,只用3.3v是不可靠的,mos管可能因為處於放大狀態而導致電機速度不夠,也容易燒mos管。

如用24v做驅動,mos管柵極可接5v左右的穩壓管以防過壓。mos管前級可用一般的三極體放大做驅動

下圖是我用微控制器輸出pwm控制mos開關管,調節輸入電壓的穩壓電源電路,但是為什麼protues**裡面,

16樓:砸碎鐵飯碗

你好:——★1、「給個低電平,mos管應該截止」,完全正確。

——★2、mos管截止後,源極還會有高電壓17v的。原因是:c1(100μ)上的充電電壓沒有地方放電,會保持高電壓17v的。【17v是電容的電壓】

——★3、要想使源極電壓跟隨mos管截止而消失,應該提供c1的放電迴路(並聯電阻)。

17樓:匿名使用者

電路有問題,看附圖 控制端 低電平(0v)  有輸出 17 v,

控制端 高電平(17v)  有輸出 0 v,

18樓:無畏無知者

是軟體問題,無解,類似現象也有遇到過。

19樓:匿名使用者

你還是不懂開關電源的工作原理,你注意一下後面的電容是能充放電的

急求用微控制器控制溫度的原理,求這個微控制器溫度控制原理圖的c語言程式,救命用的。。。

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