1樓：
tft全稱薄膜場效應電晶體，屬於mosfet，所以薄膜絕緣柵型場效應電晶體就是tft。
具體的工作原理看看mosfet就可以了，這個**上一搜就能有很多。
大致過程簡單點說，就是在柵極（gate）施加正偏壓，p型半導體內的電子就會被向上吸引，這樣在絕緣層（oxide layer）和半導體（p-stype silicon）接觸面附近會產生薄薄的一層負電荷（就是圖中的紅色虛線和棕色氧化層之間的區域，這個區域叫做溝道），這樣在源s、漏d電極之間施加電壓的時候，就會有電流從中流過。總的來說，就是在垂直方向是柵控器件（類似於電容），在水平方向是電導器件。
普通的場效應電晶體總稱fet，現在mosfet從名字你也可以知道是fet的一種了吧。大概就是這樣。
2樓：匿名使用者
tft：thin film transistor (薄膜場效應電晶體)
薄膜絕緣柵型場效電晶體igfet
insulated gate field effect transister
也稱金氧半導體三極體（metal oxide semiconductor fet,簡寫為mosfet）.
它分為增強型(enhancement-mode)和耗盡型(depletion-mode)兩大類.增強型和耗盡型又分為n溝道和p溝道兩種。
主要引數有:1)直流引數:開啟電壓,飽和漏極電流,輸入電阻;2)交流引數:低頻跨導;3)安全引數:反向擊穿電壓,最大漏極功耗
絕緣柵型場效電晶體輸入特性曲線沒有實際意義,一般考慮的是轉移特性曲線和輸出特性曲線.
場效電晶體直流引數
3樓：我靠3太假了
不屬於的應該選b，直流引數中不會涉及頻率，沒有高頻低頻之說 d選項字應該是錯的，沒聽過夾斷電壓，應該是關斷電壓
4樓：老子姓隆
選b低頻跨導g(m)是交流引數。
擴充套件：fet的直流引數包括：開啟電壓u(gs(th))，夾斷電壓u(gs(off))，飽和漏極電流i(dss)，直流輸入電阻r(gs(dc))。
交流引數包括：低頻跨導g(m)，交流輸出電阻r(ds)。
enhancement mode是什麼意思
絕緣柵場效電晶體的工作原理，求解MOS場效電晶體的構造原理，和工作原理，越詳細越好，謝謝。
絕緣柵場效電晶體的導電機理是，利用ugs 控制感應電荷的多少來改變導電溝道的寬窄，從而控制漏極電流id。若ugs 0時，源 漏之間不存在導電溝道的為增強型mos管，ugs 0 時，漏 源之間存在導電溝道的為耗盡型mos管。圖2中襯底為p型半導體，在它的上面是一層sio2薄膜 在sio2薄膜上蓋一層金...