哪些材料能夠產生巨磁電阻效應

2025-01-09 18:25:08 字數 2647 閱讀 7421

1樓:網友

實用的磁電阻材料主要有鎳鐵系和鎳鈷系磁性合金。室溫下鎳鐵系坡莫合金的磁電阻率約1%~3%,若合金中加入銅、鉻或錳元素,可使電阻率增加;鎳鈷系合金的電阻率較高,可達6%。與利用其他磁效應相比,利用磁電阻效應制成的換能器和感測器,其裝置簡單,對速度和頻率不敏感。

磁電阻材料已用於製造磁記錄磁頭、磁泡檢測器和磁膜儲存器的讀出器等。

巨磁電阻效應是什麼?

2樓:雪餅愛果凍

巨磁電阻效應是指對通電的金屬或半導體施加磁場作用時會引起電阻值的變化。其全稱是磁致電阻變化效應。巨磁阻是一種量子力學。

效應,它產生於層狀的磁性薄膜結構。這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當鐵磁層的磁矩掘爛。

相互平行時,載流子。

與自旋有關的散射最小,材料有最小的電阻。

巨磁電阻原燃散運理巨磁電阻效應來自於載流電子的不同自旋狀態與磁場的作用皮梁不同,因而導致的電阻值的變化。這種效應只有在奈米尺度的薄膜結構中才能觀測出來。賦以特殊的結構設計。

這種效應還可以調整以適應各種不同的效能需要。

增強巨磁電阻效應的方法有哪些

3樓:

摘要。親,您好關於增強巨磁電阻效應的方法有哪些,本發明屬磁電子學和磁記錄技術領域,具體為一種製備自旋閥的新方法。不同於傳統的連續生長,首先在襯底上生長一層ta緩衝層,然後停止濺射,約一段時間之後,繼續濺射鐵磁/cu/鐵磁,及反鐵磁層和覆蓋層,其中鐵磁可以是鐵,鈷,鎳及其合金,反鐵磁可以是鐵錳,氧化鎳,銥錳及鉑錳。

由此完成的自旋閥的巨磁電阻效應比連續生長自旋閥的效能得到明顯的提高。這種改善的製備方法有助於進一步提高和改善自旋閥巨磁電阻的靈敏度。

親,您好關於增強巨磁電阻效應的方法有哪些,本正銷發明屬磁電子學和磁記錄技術領域,具體為一種製備自旋閥的新方法。不同納喚於傳統的連續生長,首先在襯底上生長一層ta緩衝層,然後停止舉茄遊濺射,約一段時間之後,繼續濺射鐵磁/cu/鐵磁,及反鐵磁層和覆蓋層,其中鐵磁可以是鐵,鈷,鎳及其合金,反鐵磁可以是鐵錳,氧化鎳,銥錳及鉑錳。由此完成的自旋閥的巨磁電阻效應比連續生長自旋閥的效能得到明顯的提高。

這種改善的製備方法有助於進一步提高和改善自旋閥巨磁電阻的靈敏度。

一種自旋閥的製備方法,其特徵在於用真空鍍膜方法,在襯底測射形成緩衝層,停 止沉積;10分鐘-10小時之後,繼續依次濺射鐵磁層、cu層、鐵磁層、反鐵磁層和覆蓋 層;耐渣虧其中緩衝層為ta,厚度為奈米,鐵磁層採用fe、co、ni或它們的昌神合金之一 種,厚度為奈米,兩層鐵磁層之間的隔離層cu,厚度為奈米,反鐵梁橋磁層 採用nio、femn、irmn,、ptmn之一種,厚度為2-30奈米,覆蓋層採用ta,厚度為1- 20奈米。

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什麼是巨磁電阻效應的兩電流模型?

4樓:小小綠芽聊教育

巨磁阻效應是一種量子力學和凝聚態物理學現象,磁阻效應的一種,可以在磁性材料和非磁性材料相間的薄膜層(幾個奈米厚)結構中觀察到。這種結構物質的電阻值與鐵磁性材料薄膜層的磁化方向有關,兩層磁性材料磁化方向。

電子除攜帶電荷外,還具有自旋特性,自旋磁矩有平行或反平行於外磁場兩種可能取向。

在過渡金屬中,自旋磁矩與材料的磁場方向平行的電子,所受散射幾率遠小於自旋磁矩與材料的磁場方向反平行的電子。總電流是兩類自旋電流之和;總電阻是兩類自旋電流的並聯電阻,這就是所謂的兩電流模型。

什麼是磁電阻效應?什麼是巨磁阻效應?

5樓:惠企百科

具體如下:1、磁電阻效應,是指對通電的金屬或半導體施加磁場作用時會引起電阻值的變化。其全稱是磁致電阻變化效應。

磁電阻效應可以表達為式中。

1)△ρ有磁場和無磁場時電阻率的變化量;

2)ρ0——無磁場時的電阻率;

3)ρb——有磁場時的電阻率。

在大多數金屬中,電阻率的變化值為正,而過渡金屬和類金屬合金及飽和磁體的電阻率變化值為負。半導體有大的磁電阻各向異性。利用磁電阻效應,可以製成磁敏電阻元件,其常用材料有銻化銦、砷化銦等。

磁敏電阻元件主要用來構造位移感測器、轉速感測器、位置感測器和速度感測器等。為了提高靈敏度,增大阻值,可把磁敏電阻元件按一定形狀(直線或環形)串聯起來使用。

2、 所謂巨磁阻效應,是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現象。巨磁阻是一種量子力學效應,它產生於層狀的磁性薄膜結構。

這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當鐵磁層的磁矩相互平行時,載流子與自旋有關的散射最小,材料有最小的電阻。當鐵磁層的磁矩為反平行時,與自旋有關的散射最強,材料的電阻最大。

什麼是巨磁電阻效應

6樓:惠企百科

巨磁阻效應(giant magnetoresistance,縮寫卜衫:gmr)是一種量子力學和凝聚體物理學現象,磁阻效應的一種,可以在磁性材料和非磁性材料相間的薄膜層(幾個奈米厚)結構中觀察到。

巨磁電阻結構物質的電阻值與鐵磁性材料薄膜層的雹弊族磁化方向有關,兩層磁性材料磁化方向相反情況下的電阻值,明顯大於磁化方向相同時的電阻值,電阻在很弱的外加磁場下具有很大的變化量。巨磁阻效應被成功地運用在硬碟生產上,具有重要的商源弊業應用價值。

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