1樓：傑哥的
可控矽、gto是電流觸發，其中可控矽觸發導通後要等到電流過0時才關斷；gto稱之為可關斷可控矽，可以在有電流時關斷。
mosfet和igbt是電壓控制器件，類似於場效電晶體，可通過柵極電壓控制其導通和關斷，開關速度高於gto，由於mosfet的耐壓水平不能再繼續提高，後推出場效電晶體與雙極型管結合的器件igbt。
它們共同的作用就是可以用較小的電流（或電壓）去控制較大的電流，同時都具有單向導電性，均可作為整流和逆變元件使用，。
但相比之下，可控矽的應用範圍相對狹窄，但因為這些器件中，可控矽是最廉價的，工藝成熟，可做成高壓、大電流，所以在整流、大功率的同步逆變、調功等裝置中還是有較大優勢。
igbt與gto、mosfet器件相比在開關速度、耐壓、驅動功率上有更優異的特性，所以被廣泛應用在變頻器、有源濾波和補償、逆變等領域。
擴充套件資料
可控矽是p1n1p2n2四層三端結構元件，共有三個pn結，分析原理時，可以把它看作由一個pnp管和一個npn管所組成，其等效**如右圖所示。雙向可控矽：雙向可控矽是一種矽可控整流器件，也稱作雙向閘流體。
這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。
今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如ibm使用矽與鍺的混合物所發展的矽鍺製程。
而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵，因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造mosfet元件。
scr.gto.gtr功率mosfet。igbt的各自優缺點
2樓：lin夕子
上述提到的器件
都屬於功率開關器件。若按參與導電的載流子是一種還是兩種，可分為單極器件和雙極器件。
其中屬於雙極器件的有：scr、gto、gtr以及igbt；單極器件的是功率mosfet。scr是可控矽整流器，也叫閘流體，主要用在類似於二極體的領域，其與二極體不同的是，正向工作時，可通過門極電流來觸發導通。
而不像是二極體過了導通電壓就能直接導通，但其關斷不能通過門極關斷，而是將電流減小至某個值以下，或是直接的換向關斷。gto是gate turn-off thyristor， 為門極可關斷閘流體，即可以通過控制門極關斷閘流體。
gtr應該是giant transistor，為巨型電晶體，導通工作時要求發射結集電結均正偏，與普通bjt工作類似。以上的器件主要用於大電流，高壓，低頻場合。
而功率mosfet由於是單極型器件，電流處理能力相對較弱，但由於其在開關過程中，沒有載流子儲存的建立與抽取，其頻率特性好，用於高頻低壓領域。
而igbt，為insulated gate bipolar transistor，是絕緣柵雙極場效電晶體，為電壓控制電流，柵控器件，其工作頻率比普通的雙極器件高，電流處理能力比mosfet要強，一般用於中高頻中高壓領域。
可控矽是電流控制，還是電壓控制元件？
3樓：匿名使用者
可控矽、gto是電流觸發，其中可控矽觸發導通後要等到電流過0時才關斷；gto稱之為可關斷可控矽，可以在有電流時關斷。
mosfet和igbt是電壓控制器件，類似於場效電晶體，可通過柵極電壓控制其導通和關斷，開關速度高於gto，由於mosfet的耐壓水平不能再繼續提高，後推出場效電晶體與雙極型管結合的器件igbt。
它們共同的作用就是可以用較小的電流（或電壓）去控制較大的電流，同時都具有單向導電性，均可作為整流和逆變元件使用， 但相比之下，可控矽的應用範圍相對狹窄，但因為這些器件中，可控矽是最廉價的，工藝成熟，可做成高壓、大電流，所以在整流、大功率的同步逆變、調功等裝置中還是有較大優勢。igbt與gto、mosfet器件相比在開關速度、耐壓、驅動功率上有更優異的特性，所以被廣泛應用在變頻器、有源濾波和補償、逆變等領域。
可控矽作為電流控制型元件，為什麼在電路中總是電壓控制型元件的連線方式(分壓接法)
4樓：匿名使用者
單向可控矽是一種可控整流電子元件,能在外部控制訊號...電容器接入正弦交流電路中,電壓與電流的最大值在...
5樓：缸吵鈕艩
可控矽、gto是電流觸發,其中可控矽觸發導通後要等到電流過0時才關斷;gto稱之為可關斷可控矽,可以在有電流時關斷。 mosfet和igbt是電壓控制器件,類似
請問igbt、gto、gtr與mosfet的驅動電路有什麼特點
6樓：匿名使用者
igbt成為絕緣柵型場效電晶體 gto 門極可關斷閘流體 gtr 巨型閘流體 mosfet
如果你採用的是王
兆安的第五版的 那麼書上的結論如下：
1.gto的驅動電路：分為脈衝變壓器耦合式和直接耦合兩種，直接耦合應用範圍廣，但是功耗大，效率低。給出的例子就是其驅動特點：
原方n1到副方n2出項兩種導通：
正向：c3放電—r1—v1（觸發導通）—l—觸發gto
c1放電—r2—v2—l—gto
反向關斷：c4放電 —關斷gto—門級—l—v3
剩下三種推到方法類似....
2 gtr: 圖中給的分為電氣隔離和電晶體放大電路兩部分組成，主要是通過光耦合器控制三極體的原理控制觸發電路
3 mosfet和igbt都是電壓驅動器件，要求驅動電路有較小的輸出電阻。
7樓：無聊的說
答：igbt驅動電路的特點是：驅動電路具有較小的輸出電阻，igbt是電壓驅動型器件，igbt的驅動多采用專用的混合整合驅動器。
gtr驅動電路的特點是：驅動電路提供的驅動電流有足夠陡的前沿，並有一定的過沖，這樣可加速開通過程，減小開通損耗，關斷時，驅動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅動電流，並加反偏截止電壓，以加速關斷速度。
gto驅動電路的特點是：gto要求其驅動電路提供的驅動電流的前沿應有足夠的幅值和陡度，且一般需要在整個導通期間施加正門極電流，關斷需施加負門極電流，幅值和陡度要求更高，其驅動電路通常包括開通驅動電路，關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。
電力mosfet驅動電路的特點：要求驅動電路具有較小的輸入電阻，驅動功率小且電路簡單。
電力電子scr,gto,mosfet,gtr,igbt對觸發脈衝要求的異同點 50
8樓：tang破曉
igbt驅動電路的特點是：驅動電路具有較小的輸出電阻，igbt是電壓驅動型器件，igbt的驅動多采用專用的混合整合驅動器。 gtr驅動電路的特點是：
驅動電路提供的驅動電流有足夠陡的前沿，並有一定的過沖，這樣可加速開通過程，減小開通損耗；關斷時，驅動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅動電流，並加反偏截止電壓，以加速關斷速度。 gto驅動電路的特點是：gto要求其驅動電路提供的驅動電流的前沿應有足夠的幅值和陡度，且一般需要在整個導通期間施加正門極電流，關斷需施加負門極電流，幅值和陡度要求更高，其驅動電路通常包括開通驅動電路、關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。
電力mosfet驅動電路的特點是：要求驅動電路具有較小的輸入電阻，驅動功率小且電路簡單。
scr，gto，mosfet，gtr，igbt對觸發脈衝的異同點 250
9樓：
都是通過 pulse generator 產生驅動訊號，可以設定相應的佔空比，如scr就可以設定脈衝週期為電源週期1/50,脈衝寬度為窄脈衝，為電源週期的5%,脈衝幅值可以取為5~10v，如果設定觸發延遲角α為45度，只需將相位延遲引數設定為2.5ms，可以根據需要自己設定觸發角，不同的電路可能還要設定相應的死區時間，即要留有一定裕度，防止誤導通。
gto,gtr,電力mosfet,igbt的區別及應用場合？
10樓：匿名使用者
gto是可關斷閘流體,gtr是大功充電晶體,mosfet是場效應電晶體,igbt是gtr與mosfet是合成器件.現在一般都用igbt,因為它是用電壓來控制,被控電流大,頻率可以做的較高,開關功率小.具體的區別請電力電子方面的書籍,一兩句話講不清楚.
可控矽的測量，可控矽的測量？
可控矽的測量方法 鑑別可控矽三個極的方法很簡單，根據p n結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上 它們之間有兩個p n結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通 控制極與陰極之間是一個p...
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