1樓:moonish_瀟
led用襯底材料一般有藍寶石襯底,碳化矽襯底及矽襯底三種,其中藍寶石襯底應用最廣泛,因為其加工方法以及加工成本等與其他兩種相比較都有不小的優勢。雖說在晶格匹配上面是氮化鎵襯底砷化鎵襯底最為匹配,但其生產加工方法要比碳化矽及矽等都更難上加難。
當前用於gan基led的襯底材料比較多,但是能用於商品化的襯底目前只有兩種,即藍寶石和碳化矽襯底。其它諸如gan、si、zno襯底還處於研發階段,離產業化還有一段距離。
一、紅黃光led
紅光led以gap(二元系)、algaas(三元系)和algainp(四元系)為主,主要採用gap和gaas作為襯底,未產業化的還有藍寶石al2o3和矽襯底。
1、gaas襯底:在使用lpe生長紅光led時,一般使用algaas外延層,而使用mocvd生長紅黃光led時,一般生長alingap外延結構。外延層生長在gaas襯底上,由於晶格匹配,容易生長出較好的材料,但缺點是其吸收這一波長的光子,布拉格反射鏡或晶片鍵合技術被用於消除這種額外的技術問題。
2、gap襯底:在使用lpe生長紅黃光led時,一般使用gap外延層,波長範圍較寬565-700nm;使用vpe生長紅黃光led時,生長gaasp外延層,波長在630-650nm 之間;而使用mocvd時,一般生長alingap外延結構,這個結構很好的解決了gaas襯底吸光的缺點,直接將led結構生長在透明襯底上,但缺點是晶格失配,需要利用緩衝層來生長ingap和algainp結構。另外,gap基的iii-n-v材料系統也引起廣泛的興趣,這種材料結構不但可以改變頻寬,還可以在只加入0.
5 %氮的情況下,帶隙的變化從間接到直接,並在紅光區域具有很強的發光效應(650nm)。採用這樣的結構製造led,可以由ganp 晶格匹配的異質結構,通過一步外延形成led結構,並省去gaas襯底去除和晶片鍵合透明襯底的複雜工藝。
二、藍綠光led
用於氮化鎵研究的襯底材料比較多,但是能用於生產的襯底目前只有二種,即藍寶石al2o3和碳化矽sic襯底。
1、氮化鎵襯底:用於氮化鎵生長的最理想的襯底自然是氮化鎵單晶材料,這樣可以大大提高外延片膜的晶體品質,降低位元錯密度,提高器件工作壽命,提高發光效率,提高器件工作電流密度。可是,製備氮化鎵體單晶材料非常困難,到目前為止尚未有行之有效的辦法。
有研究人員通過hvpe方法在其他襯底(如al2o3、sic、lgo)上生長氮化鎵厚膜,然後通過剝離技術實現襯底和氮化鎵厚膜的分離,分離後的氮化鎵厚膜可作為外延用的襯底。這樣獲得的氮化鎵厚膜優點非常明顯,即以它為襯底外延的氮化鎵薄膜的位元錯密度,比在al2o3、sic上外延的氮化鎵薄膜的位元錯密度要明顯低;但**昂貴。因而氮化鎵厚膜作為半導體照明的襯底之用受到限制。
2、藍寶石al2o3襯底:目前用於氮化鎵生長的最普遍的襯底是al2o3,其優點是化學穩定性好、不吸收可見光、**適中、製造技術相對成熟;不足方面雖然很多,但均一一被克服,如很大的晶格失配被過渡層生長技術所克服,導電效能差通過同側p、n電極所克服,機械效能差不易切割通過雷射劃片所克服,很大的熱失配對外延層形成壓應力因而不會龜裂。但是,差的導熱性在器件小電流工作下沒有暴露出明顯不足,卻在功率型器件大電流工作下問題十分突出。
3、sic襯底:除了al2o3襯底外,目前用於氮化鎵生長襯底就是sic,它在市場上的佔有率位居第2,目前還未有第三種襯底用於氮化鎵led的商業化生產。它有許多突出的優點,如化學穩定性好、導電效能好、導熱效能好、不吸收可見光等,但不足方面也很突出,如**太高、晶體品質難以達到al2o3和si那麼好、機械加工效能比較差。
另外,sic襯底吸收380 nm以下的紫外光,不適合用來研發380 nm以下的紫外led。由於sic襯底優異的的導電效能和導熱效能,不需要像al2o3襯底上功率型氮化鎵led器件採用倒裝焊技術解決散熱問題,而是採用上下電極結構,可以比較好的解決功率型氮化鎵led器件的散熱問題。目前國際上能提供商用的高品質的sic襯底的廠家只有美國cree公司。
4、si襯底:在矽襯底上製備發光二極體是本領域中夢寐以求的一件事情,因為一旦技術獲得突破,外延片生長成本和器件加工成本將大幅度下降。si片作為gan材料的襯底有許多優點,如晶體品質高,尺寸大,成本低,易加工,良好的導電性、導熱性和熱穩定性等。
然而,由於gan外延層與si襯底之間存在巨大的晶格失配和熱失配,以及在gan的生長過程中容易形成非晶氮化矽,所以在si 襯底上很難得到無龜裂及器件級品質的gan材料。另外,由於矽襯底對光的吸收嚴重,led出光效率低。
5、zno襯底:之所以zno作為gan外延片的候選襯底,是因為他們兩者具有非常驚人的相似之處。兩者晶體結構相同、晶格失配度非常小,禁頻寬度接近(能帶不連續值小,接觸勢壘小)。
但是,zno作為gan外延襯底的致命的弱點是在gan外延生長的溫度和氣氛中容易分解和被腐蝕。目前,zno半導體材料尚不能用來製造光電子器件或高溫電子器件,主要是材料品質達不到器件水準和p型摻雜問題沒有真正解決,適合zno基半導體材料生長的裝置尚未研製成功。今後研發的重點是尋找合適的生長方法。
但是,zno本身是一種有潛力的發光材料。 zno的禁頻寬度為3.37 ev,屬直接帶隙,和gan、sic、金剛石等寬禁帶半導體材料相比,它在380 nm附近紫光波段發展潛力最大,是高效紫光發光器件、低閾值紫光半導體雷射器的候選材料。
zno材料的生長非常安全,可以採用沒有任何毒性的水為氧源,用有機金屬鋅為鋅源。
6、znse襯底:有人使用mbe在znse襯底上生長zncdse/znse等材料,用於藍光和綠光led器件,最先由住友公司推出,由於其不需要熒光粉就可以實現白光led的目標,故可降低成品,同時電源迴路構造簡單,其操作電壓也比gan白光led低。但是其並沒有推廣,這是因為由於使用mocvd,p型參雜沒有很好解決,試驗中需要用到sb來參雜,所以一般採用mbe生長,同時其發光效率較低,,而且由於自補償效應的影響,使得其效能不穩定,器件壽命較短。
現在藍寶石襯底是最為廣泛應用的,晶體主要材料來自美國,俄羅斯,臺灣,大陸也開始慢慢起來了
2樓:匿名使用者
藍寶石襯底,化學式是al2o3。
目前用於氮化鎵生長的最普遍的襯底是al2o3,其優點是化學穩定性好、不吸收可見光、**適中、製造技術相對成熟;不足方面雖然很多,但均一一被克服,如很大的晶格失配被過渡層生長技術所克服,導電效能差通過同側p、n電極所克服,機械效能差不易切割通過雷射劃片所克服,很大的熱失配對外延層形成壓應力因而不會龜裂。但是,差的導熱性在器件小電流工作下沒有暴露出明顯不足,卻在功率型器件大電流工作下問題十分突出。其襯底分兩種:
1、未加深,即“未圖形化的”平藍寶石基板,2、是“圖形化的”平藍寶石基板。前者因異質外延存在很大的晶格失配,所以很少使用。
3樓:匿名使用者
藍寶石襯底,市場上主要是c向襯底及c向pss襯底。主要是工藝成熟。
另外還有實驗用m向,a向及r向襯底。但缺陷較多,沒有成熟工藝,目前市場幾乎沒有。
4樓:匿名使用者
只有臺灣的一種,**便宜,led背光電視就是如此,還有碳化矽的是美國的,目前知道的只有這兩種
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