1樓：匿名使用者
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結：
一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。
單向導電性：
在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。
在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。
空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。
正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。
pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結合還可以製作多種光電器件。
如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。
2樓：媽咪說
什麼是pn結？為什麼只能單向導通？太陽能電池的發電原理（下）
為什麼pn結具有單向導電性。。簡述
3樓：媽咪說
什麼是pn結？為什麼只能單向導通？太陽能電池的發電原理（下）
4樓：匿名使用者
pn結就是一個勢壘，加正向電壓時，勢壘降低，呈低阻，加反向電壓時，勢壘增強，呈低阻，所以。。。。。
5樓：匿名使用者
pn結是有半導體摻雜而成的
pn結加正向電壓時，有較大的正向電流通過，即pn結呈現很低的電阻。而加反向電壓時，反向電流很小，pn結呈現很高的電阻。總而言之，pn結具有單向導電性。
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電工問題：為什麼說pn結具有單向導電性？
6樓：
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結：一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。pn結有同質結和異質結兩種。
用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。
在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。
當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。
p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。
pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結合還可以製作多種光電器件。
如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。
pn結的單向導電性是什麼？
7樓：如之人兮
pn結正偏時導通，呈現很小的電阻，形成較大的正向電流；pn結反偏時截止,呈現很大的電阻,反向電流近似為零。
通常的說法是在不加外電壓時，這個pn結中p區的多子是空穴，n區的多子是電子（通常只考慮多子），因為濃度差，載流子必然向濃度低的方向擴散。在擴散前，p區與n區的正負電荷是相等的，呈電中性。當p區空穴向n區移動時，就在pn結邊界處留下了不能移動的負離子，用帶藍圈的負電荷表示； 當n區自由電子向p區移動時， 就在pn結邊界處留下了不能移動的正離子，用帶紅圈的正電荷表示，這樣就在空間電荷區內產生了一個內建電場upn，電場的方向是由n區指向p區的。
在擴散作用下隨著upn增大，載流子受到電場力upn的作用而做漂移運動，它的方向與擴散運動相反，最終使載流子擴散與漂移達到動態平衡，形成了空間電荷區，如圖3所示。
當外加正向偏壓時，電源e提供大量的空穴和電子，e的電場方向與upn的電場方向相反，空間電荷區被兩種載流子複合而消弱變窄，載流子容易通過擴散加強，呈現低阻狀態。
當外加反向偏壓時，它的電場方向與upn的電場方向一致，空間電荷區被增厚變寬，載流子不易通過擴散減弱，呈現高阻狀態。此時僅有兩側的少子，也就是n區的空穴和p區的電子在upn電場力作用下做漂移運動，形成較小的反向飽和電流is，直至擊穿為止，其電流按二極體方程規律變化，這就是pn結的單向導電性原理。
拓展資料：
採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將p型半導體與n型半導體制作在同一塊半導體（通常是矽或鍺）基片上，在它們的交介面就形成空間電荷區稱為pn結（英語：pn junction）。pn結具有單向導電性，是電子技術中許多器件所利用的特性，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
8樓：楊子電影
pn結加正向電壓時，可以有較大的正向擴散電流，即呈現低電阻， 我們稱pn結導通； pn結加反向電壓時，只有很小的反向漂移電流，呈現高電阻， 我們稱pn結截止。 這就是pn結的單向導電性。
(1) 加正向電壓（正偏）——電源正極接p區，負極接n區
外電場的方向與內 電場方向相反。 外電場削弱內電場→ 耗盡層變窄→擴散運動＞＞漂移運動→多子擴散形成正向電流（與外電場方向一致）i f
(2) 加反向電壓（反偏）——電源正極接n區，負極接p區
外電場的方向與內電場方向相同。 外電場加強內電場→耗盡層變寬→漂移運動＞＞擴散運動→少子漂移形成反向電流i r
單向導電性是 二極體最重要的特性。利用單向導電性可以判斷二極體的好壞，正偏時電阻值小，反偏時電阻值大，否則，二極體是損壞了的。
9樓：匿名使用者
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結（pn junction）
一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半
導體的交介面附近的過渡區稱。pn結有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁頻寬度不
同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質
結通常採用外延生長法。
在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。
當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。
p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向界
面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和
電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外
電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧
道擊穿和雪崩擊穿。 pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利
用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用
高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結
合還可以製作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極
管；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個
pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電
子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。
二極體為什麼具有單向導電性，二極體的單向導電性
二極體一般是又矽或是鍺管組成,他們的開啟電壓也就是工作電壓很低,一般矽管的開啟電壓是0.3v,鍺管的開啟電壓是0.7v.二極體中p區以空穴 正電荷 為主，n區以電子 負電荷 為主 p區和n區中間的pn結構是p端為負離子，n端為正離子。顯然pn結阻止了p區和n區中電子和空穴的擴散。即p區的正電荷和n區...
漂移運動使PN接面變薄,但反偏時,PN接面電場加強,漂移運動加強,而PN接面變厚
形成pn結的過程中，因多子擴散而形成內電場 同時加大的內電場加強了少子的漂移，它與擴散運動相反，使空間電荷區變窄，直到漂移運動與擴散運動相當時，pn結動態穩定下來。當外加反偏時，內外電場力方向相同，在外電場作用下，多子背離pn結運動，空間電荷區變寬 加厚了pn結 加強了少子的漂移運動 流過一個很小的...
二極體的單向導電性具體指什麼二極體的單向導電性的作用是什麼？
二極體的單向導電性具體指 只允許電流由單一方向通過 稱為順向偏壓 反向時阻斷 稱為逆向偏壓 單向導電性是二極體最重要的特性。利用單向導電性可以判斷二極體的好壞，正偏時電阻值小，反偏時電阻值大，否則，二極體是損壞了的。二極體單向導電性失敗的場合及原因 1 正向偏壓太低。不足以克服死區電壓 2 正向電流...