1樓：匿名使用者
形成pn結的過程中，因多子擴散而形成內電場 ，同時加大的內電場加強了少子的漂移， 它與擴散運動相反，使空間電荷區變窄， 直到漂移運動與擴散運動相當時， pn結動態穩定下來。
當外加反偏時， 內外電場力方向相同， 在外電場作用下，多子背離pn結運動，空間電荷區變寬 ，加厚了pn結 ，加強了少子的漂移運動 流過一個很小的反向電流。
2樓：匿名使用者
先說pn結，p區為負 n區為正，形成內電場 ，阻止擴散，那麼截流子就不能進行相互的擴散形成電流。 飄逸使得pn結p區不能移動帶負電粒子和n區不能移動帶正電粒子減少，所以pn結變薄，內電場減弱，擴散變得容易，形成電流更加容易。但加反偏電壓時，更加導致pn結點中空穴 更加離開pn結點向p區（是p區而不n區），同理pn結點自由電子向n區移動。
這就造成p區不能移動帶負電粒子和n區不能移動帶正電粒子更多。pn結點加厚，其產生漂移電場加強，阻止擴散運動，如果空穴不能到n區，自由電子不能到p區 ，如此便行不成電流。所以電阻很大。
當然加正偏電壓就反過來了
3樓：匿名使用者
p區為負 n區為正，形成內電場 ，阻止擴散，那麼截流子就不能進行相互的擴散形成電流。 飄逸使得pn結p區不能移動帶負電粒子和n區不能移動帶正電粒子減少，所以pn結變薄，內電場減弱，擴散變得容易，形成電流更加容易。同理pn結點自由電子向n區移動。
這就造成p區不能移動帶負電粒子和n區不能移動帶正電粒子更多。pn結點加厚，其產生漂移電場加強，阻止擴散運動，如果空穴不能到n區，自由電子不能到p區 ，如此便行不成電流。所以電阻很大。
論述PN接面單向導電的成因，為什麼PN接面具有單向導電性。。簡述
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。pn結 一塊單晶半導體中 一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。單向導電性 在 p 型半導體中有...
在PN接面外加電場時，外電場是如圖中紅色那樣分佈，還是要穿越內電場謝謝
其實要真的 bai瞭解pn結，需要很深的du半導體和固態物理知zhi識。dao你的問題也不太準確。圖中的版紅色箭頭權是錯誤的。電場只存在於耗盡層。p區和n區是沒有電場的。在無任何偏置電壓的情況下，內建電場形成並且和擴散電流保持平衡。當外加電場如圖正偏置時，耗盡層減小變薄，內建電場減小。電子漂移形成電...
判斷題 PN接面正向偏置時電阻小,反向偏置時電阻大
這是pn結的單向導電性。當pn結正向偏置時，電阻很小，處於導通狀態 當pn結反向偏置時，電阻很大，處於截止狀態。所以這句話是對的。 黑豹 這道題有些難纏。以數學 語文的觀點判斷是對的，從專業的角度看則未必正確，至少是不嚴謹的，我感覺你心中也是怎麼想的。pn結反向偏置時的電阻與正向偏置時的電阻相比，根...