1樓：網友
a.唯讀儲存器---是半導體儲存器，如eprom,flat cell等一次性寫入或在晶元製造過程中就寫好的，不可在擦寫的唯讀儲存器。
b.硬碟 --硬碟是電腦主要的儲存媒介之一，由乙個或者多個鋁製或者玻璃制的碟片組成。這些碟片外覆蓋有鐵磁性材料，因而本質上硬碟是磁碟的一種，因而其不是半導體儲存器。
c.暫存器 --暫存器是**處理器內的桐褲組成部份。暫存器是有限存貯容量的高速存貯部件，它們可用來暫存指令、資料和位址。
因而暫存器實際是cpu的乙個部分，可看作是半導體儲存器。
盤 --其局褲簡實就是flash晶元，是半導體儲存器。
e.記憶體---其實就是dram晶元，是半導體儲存器。
f.快取---硬碟中的快取(cache memory)是硬碟控制器上的一塊記憶體晶元，具有極快的存取速度，它是硬碟內部儲存和外界介面之間的緩衝器。cpu快取是指可以進行高速資料交換的儲存器，它先於記憶體與cpu交換資料，因此速度很快。
因而快取實際上是乙個純察儲存晶元或晶元中的某個部分，是半導體儲存器。
基本的半導體器件有哪些?它們的結構、工作原理、功能特點?
2樓：繁城在
以下是一些常用的半導體器件的小清單。根據裝置的物理結構，下表分為二端裝置和三端裝置。
兩端半導體器件。
二極體。肖特基二極體。
發光二極體 (led)
diac齊納二極體。
光電二極體（光電電晶體）
pin diode
雷射二極體。
隧道二極體。
光電池。太陽能電池。
耿氏二極體。
衝擊二極體。
tvs 二極體（瞬態電壓抑制二極體）
vcsel（垂直腔面發射雷射器）
三端半導體器件。
雙極電晶體。
場效應電晶體。
絕緣柵雙極電晶體 (igbt)
達林頓電晶體。
可控矽整流器 (scr)
雙向可控矽。
閘流體。單結電晶體。
還有一些四端半導體，如光耦合器（光電耦合器）和霍爾效應感測器。
半導體器件的應用。
如前所述，半導體器件是幾乎所有電子器件的基礎。半導體器件的一些應用是：
電晶體是微處理器等各種積體電路中的主要元件。
事實上，它們是構建邏輯閘和其他數位電路的主要部件。
電晶體也用於類比電路，如放大器和振盪器。
半導體儲存器分為哪兩種
3樓：老韓教育大咖
半導體儲存器分為隨機讀寫儲存器和唯讀儲存器
半導體儲存器的分類從製造工藝的角度可把半導體儲存器分為雙極型、仔稿cmos型、hmos型等；從應用角度上可將其分為兩大類：隨機讀寫儲存器（ram），又稱隨機存取儲存器。
唯讀儲存器（rom）。
1、唯讀儲存器（rom）
唯讀儲存器在使用過程中，只能讀出儲存的資訊而不能用通常的方法將資訊寫入的儲存器，其中又可以分為以下幾種。
掩膜rom，利用掩膜工藝製造，一旦做好，野握不能更改，因此只適合於儲存成熟的固定程式和資料。工廠大量生產時，成本很低。
可程式設計rom，簡稱prom，由廠商生產出的空白儲存器，根據使用者需要，利用特殊方法寫入程式和資料，但是隻能寫一次，寫入後資訊固定的，不能更改。
光擦除prom，簡稱eprom，這種儲存器編寫後，如果需要擦除可用紫外線燈。
製造的擦除器照射20分鐘左右，使儲存器復原使用者可再程式設計。
電擦除prom，簡稱eeprom，顧名思義可以通過電來進行擦除，這種儲存器的特點是能以位元組為單位擦除和改寫，而且不需要把晶元拔下插入程式設計器程式設計，在使用者系統即可進行。
flash memory，簡稱快閃記憶體。它是非易失性儲存器，在電源關閉後仍能保持片內資訊頌戚慶，與eeprom相比，快閃記憶體儲存器具有成本低密度大的優點。
2、隨機讀寫儲存器（ram）
分為兩類：雙極型和mos型兩種。雙極型ram，其特點是存取速度快，採用電晶體觸發器。
作為基本儲存電路，管子較多，功耗大，成本高，主要用於快取記憶體。
儲存器（cache）mos ram，其特點是功耗低，密度大，故大多采用這種儲存器。
sram：儲存原理是用雙穩態觸發器來做儲存電路，狀態穩定，只要不掉電，資訊就不會丟失，優點是不用重新整理，缺點是整合度低。dram：
儲存原理是用電容器來做儲存電路，優點是電路簡單，整合度高，缺點是由於電容會漏電需要不停地重新整理。
儲存器的儲存介質是半導體嗎
4樓：小林愛生活
儲存器的儲存介質是半導體，一般稱為半導體儲存器，由大量相同的儲存單元卜信滾和輸入、輸出電路等構成。每個儲存單元有兩個不同的表徵態0和1，用以儲存不同的資訊。半導體儲存器是構成計算機的重要部件。
同磁性儲存器坦坦相比，半導體儲存器具有存取速度快、儲存容量大、體積小等優點，並且儲存單元陣列和主要外型餘圍邏輯電路相容，可製作在同一晶元上，使輸入輸出介面大為簡化。
半導體儲存器的分類。
按功能的不同，半導體儲存器可分為隨機儲存器（ram）、唯讀儲存器（rom）和序列儲存器三大類。隨著半導體積體電路工藝技術的發展，半導體儲存器容量增長非常快，單片儲存容量已進入兆位級水平，如16兆動態隨機儲存器（dram）已商品化，64兆、256兆dram在研製中。
5樓：騰揚數碼
由半導體器件作為介質的儲存器有隻讀儲存器、硬碟、暫存器、u盤、記憶體、快取等。唯讀儲存器：是半導體儲存器，以非破壞性讀出方式工作，只能讀出無法寫入資訊。
資訊一旦寫入後就固定下來，即使切斷電源，資訊也不會丟失，所以又稱為固定儲存器。硬碟：是半導體儲存器。
由乙個或者多個鋁製或者玻璃制的碟片組成，這些碟片外覆蓋有鐵磁性材料。 <
演示機型：華為matebook x 系統版本：win10 由半導體器件作為介質的儲存器有隻讀儲存器、硬碟、暫存器、u盤、記憶體、快取等。
1、唯讀儲存器：是半導體儲存器，以非破壞性讀出方式工作，只能讀出無法寫入資訊。資訊一旦寫入後就固定下來，即使切斷電源，資訊也不會丟失，所以又稱為固定儲存器。
2、硬碟：是半導體儲存器。由乙個或者多個鋁製或者玻璃制的碟片組成，這些碟片外覆蓋有鐵磁性材料。
3、暫存器：是半導體儲存器。功能是儲存二進位**，它是由具有儲存功能的觸發器組合起來構成的。
乙個觸發器可以儲存1位二進位**，故存放n位二進位**的暫存器，需用n個觸發器來構成。
4、u盤：是半導體儲存器。快閃記憶體的一種，故有時也稱作閃盤。u盤與硬碟的最大不同是，它不需物理驅動器，即插即用，且其儲存容量遠超過軟盤，極便於攜帶。
5、記憶體：是半導體儲存器。是計算機的重要部件，也稱記憶體儲器和主儲存器，它用於暫時存放cpu中的運算資料，以及與硬碟等外部儲存器交換的資料。
6、快取：是半導體儲存器。是指訪問速度比一般隨機存取儲存器快的一種高速儲存器，通常它不像系統主存那樣使用dram技術，而使用昂貴但較快速的sram技術。
快取的設定是所有現代計算機系統發揮高效能的重要因素之一。
半導體儲存器的儲存容量由什麼決定
6樓：天蠍星
半導體儲存器的儲存容量主要由以下幾個方面決定：
1. 晶元尺寸：晶元尺寸越大，儲存單元的數量就越多，儲存容量也就越大。
2. 儲存單元的密度：儲存單元的密度越高，儲存容量也就越大。儲存單元密度的提高可以通過縮小儲存單元的尺寸、增加儲存單元的層數等方式實現。
3. 儲存單元的結構：不同的儲存單元結構具有不同的儲存密度，從而影響儲存容量。例如，dram和sram的跡叢儲存單元結構不同，dram的儲存密度更高，因此具有更大的儲存容量。
4. 製造工藝：製造工藝的進步可以提高晶元的整合度和儲存單元的密度，從而增加儲存容量。
5. 儲存單元的電容或電阻：儲存單元的電容或電阻大小直接影響儲存單元的電荷量或電流大小，從而影響儲存容量大小。
總之，半導體儲存器的儲存前州正容量是由多個慧悔因素共同決定的，其中晶元尺寸、儲存單元的密度和結構是最為重要的因素。
半導體儲存器有幾類，分別有什麼特點？
7樓：乾萊資訊諮詢
1、隨機儲存器。
對於任意乙個位址，以相同速度高速地、隨機侍禪地讀出和寫入資料的儲存器（寫入速度和讀出速度可以不同）。儲存單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式，即一位乙個位址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式（如8k×8位）。
特點：這種儲存器的特點是單元器件數量少，整合度高，應用最為廣泛（見金屬-氧化物-半導體動態隨機儲存器）。
2、唯讀儲存器。
用來儲存長期固定的資料或資訊，如各種函式表、字元和固定程式等。其單元只有乙個二極體或三極體。一般規定，當器件接通時為「1」,斷開時為「0」，反之亦可。
若在設計唯讀儲存器掩模版時，就將資料編寫在掩模版圖形中，光刻時便轉移到矽晶元上。
特點：其優點是適合於大量生產。但是，整機在除錯階段，往往需要修改唯讀儲存器的內容，比較費時、費事，很不靈活（見半導體唯讀儲存器）。
3、序列儲存器。
它的單元排列成一維結構，猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長，因為要按順序通過整條磁帶。半導體序列儲存器中單元也是一維排列，資料按每列順序讀取，如移位暫存器和電荷耦合儲存器等。
特點：砷化鎵半導體儲存器如1024位靜態隨機儲存器的讀取時間已達2毫秒，預計在超高速領域將有所發展。
半導體唯讀儲存器與半導體隨機儲存器的主要區別在於
8樓：知識改變命運
1、作用不同
唯讀儲存器的主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模組的初始化、系統的基本輸入／輸出的驅動程式及引導作業系統。
隨機儲存器是與cpu直接交換資料的內部儲存器。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為作業系統或其他正在執行中的程式的臨時資料儲存介質。
2、特點不同
ram 是隨機存取儲存器，它的特點是易揮發性，即掉電失憶。rom 通常指固化儲存器（一次寫入，反覆讀取），它的特點與ram 相反。rom又分一次性固化、光擦除和電擦除重寫三種型別。
舉轎並搜個例子來說也就是，如果突然停電或者沒有儲存就關閉了檔案，那麼rom可以隨機儲存之前沒有儲存的檔案但是ram會使之前沒有儲存的檔案消失。
選擇儲存器時應遵循的基本原則：
1、內部儲存器與外部儲存器。
一般情況下，當確定了儲存程式**和資料所需要的儲存空間之後，設計工程師將決定是採用內部儲存器還是外部儲存器。通常情況下，內部儲存器的價效比最高但靈活性最低，因此設計工程師必須確定對儲存的需求將來是否會增長，以及是否有某種途徑可以公升級到**空間更大的微控制器。
目前市場閉歷上存在各種規模的外部儲存器器件，我們很容易通過增加儲存器來適應**規模的增加。有時這意味著以封裝尺寸相同但容量更大的儲存器替代現有的儲存器，或者在匯流排上增加儲存器。即使微控制器帶有內部儲存器，也可以通過增加外部序列eeprom或快閃記憶體來滿足系統對非易失性儲存器的需求。
2、引導儲存器。
在較大的微控制器系統或基於處理器的系統中，設計工程師可以利用引導**進行初始化。應用本身通常決定了是否需要引導**，以及是否需要專門的引導儲存器。例如，如果沒有外部的定址匯流排或序列引導介面，通常使用內部儲存器，而不需要專門的引導器件。
3、配置儲存器。
對於現場可程式設計門陣列(fpga）或片上系統(soc)，人們使用儲存器來儲存配置資訊。這種儲存器必須是非易失性eprom、eeprom或快閃記憶體。大多數情況下，fpga採用spi介面，但一些較老蔽兄的器件仍採用fpga序列介面。
序列eeprom或快閃記憶體器件最為常用，eprom用得較少。
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