暫存器間接定址訪問內部RAM或RAM頁內256單元指令有何區別? 20

2025-04-01 17:05:13 字數 1244 閱讀 1354

暫存器間接定址訪問內部ram或ram頁內256單元指令有何區別?

1樓:寧波光哥的生活曲

指令所要的運算元已儲存在某暫存器中,或把目標運算元存入暫存器。把在指令中指出所使用暫存器(即:暫存器的助憶符)的定址方式稱為暫存器定址方式。

指令中可以引用的暫存器及其符號名稱如下:

8位暫存器有:ah、al、bh、bl、ch、cl、dh和dl等;

16位暫存器有:ax、bx、cx、dx、si、di、sp、bp和段暫存器等;

喚遊32位暫存器有:eax、ebx、ecx、edx、esi、edi、esp和ebp等。

暫存器定址方式是一種簡單快捷的定址方式,源和目的運算元都可以是暫存器。

1、源運算元是暫存器定址方式。

如:add vard, eax add varw, ax mov varb, bh等。

其中:vard、varw和varb是雙字,字和位元組型別的記憶體變數。在第4章將會學到如何定義它們。

2、目的運算元是暫存器定址方式。

如:add bh, 78h add ax, 1234h mov ebx, 12345678h等。

3、源和目的運算元都是暫存器定址方式。

如:mov eax, ebx mov ax, bx mov dh, bl等。

由於指令所需的運算元已儲存在暫存器中,或操作的結果和兄銷存入暫存器,這樣,在指令執行過程中,會減少讀/寫儲存器單元的次數,所以,使用暫存器定址方式的指令具有較快的執行速度。通常情況下,我們提倡在編寫組合語言程式時,應儘可能地使用暫存器定址方式,但也不要把它絕對化塵李。

2樓:網友

需要修改晶元ram位址為0x01的引數,但衝灶公升是同時辯模有位址為0x01的暫存器散老存在,在通過i2c寫操作時,如何區分這兩者?

訪問內部ram單元可以採用哪些定址方式?

3樓:教育小百科達人

4、間接定址:在間接定址的情況下,指令位址欄位中的形式位址不是運算元的真正位址,而是運算元位址的指示器,或者說此形式地陪運址單元的內容才是運算元的有效位址。

4樓:小芯丫的

直接定址,適用於片內ram低128個單元。

間接定址,含掘內部ram低128b,對於mcs-51,規定只能滲謹用r0或r1做間接暫存器。

位定址,片內ram低128b,叢老基單元位址為20h~2fh,定址範圍00h~7fh

立即定址。暫存器定址。

在暫存器間接定址方式中,運算元應在中

c.儲存單元 暫存器間接定址方式中,暫存器記憶體放的是運算元的地址,而不是運算元本身,即運算元是通過暫存器間接得到的,因此稱為暫存器間接定址。運算元放在ram某個儲存單元中,該單元的地址又放在暫存器r0或r1中。如要進行算術運算,要計算每班學員各科成績的平均值,可以編一個求平均成績的通用程式,把每位...

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