1樓：北澤奈奈
w、x、y、z為短週期元素，這四種元素的原子最外層為22，則x、y為第二週期元素，w、z為第三週期元素，設x的最外層電子為x，則y、w、z的最外層電子數分別為x+1、x-1、x+2，所以x+x+1+x-1+x+2=22，解得x=5，即x為n，y為o，w為si，z為cl，w與t同主族，則t為ge，
a．x、y、z三種元素最低價氫化物分別為nh3、h2o、hcl，nh3、h2o中存在氫鍵，沸點都比hcl高，故a錯誤；
b．n、h、o三種元素可形成nh4no3，是離子化合物，既有共價鍵也有離子鍵，故b錯誤；
c．sio2、si3n4屬於原子晶體，熔點高，硬度大，而sicl4屬於分子晶體，熔點低，硬度小，故c錯誤；
d．ge元素位於金屬與非金屬之間的分界線，因此具有半導體的特性，與碳屬於同一主族，最外層四個電子，性質相似，可形成gecl4，故d正確；
故選d．
x、y、z、w四種短週期元素在元素週期表中的相對位置如圖所示，這四種元素原子的最外層電子數之和為20．下
2樓：手機使用者
x、y、z、w四種屬於短週期元素，根據元素在週期表中的位置知，w、x、y屬於第二週期元素，z屬於第三週期元素，設x的原子最外層電子數是a，則w的最外層電子數是a-1，y的最外層電子數是a+1，z最外層電子數是a，這四種元素原子的最外層電子數之和為20，則a-1+a+a+1+a=20，a=5，所以x是n元素、w是c元素、y是o元素、z是p元素，
a．原子的電子層數越多，其原子半徑越大，同一週期中，原子半徑隨著原子序數的增大而減小，所以四種元素的原子半徑：rz＞rw＞rx＞ry，故a錯誤；
b．形成單質最多的元素是c元素，碳元素的單質有：金剛石、石墨、木炭、焦炭、活性炭、炭黑、c60等，故b錯誤；
c．這四種元素形成的18電子的分子為：c2h6、n2h4、h2o2、ph3，故c正確；
d．元素的非金屬性越強，其最**氧化物的水化物酸性越強，這幾種元素中，雖然o元素的非金屬性最強，但o元素沒有最**含氧酸，所以x的最**氧化物的水化物酸性最強，故d錯誤；
故選c．
短週期元素x、y、z和w的原子序數依次遞增，且在同一週期，四種元素原子的最外層電子數之和為19，x和y元素
3樓：手機使用者
短週期元素x、y、z和w的原子序數依次遞增，且在同一週期，x和y元素原子的原子序數比6：7，四種元素原子的最外層電子數之和為19，如果x、y原子序數分別是6、7，則z、w原子最外層電子數大於5，四種元素最外層電子數之和大於19，不符合題意，又由於這幾種都是短週期元素，所以x、y原子序數分別是12、14，則x為mg元素、y為si元素，x的最高正價是w的最低負價的絕對值的2倍，則y最低負極是-1價，則w為cl元素，根據這四種元素最外層電子數知，z原子最外層電子數是6，則z為s元素，即x是mg、y是si、z是s、w是cl元素，
a．x離子核外有2個電子層、z離子核外有3個電子層，電子層數越多其離子半徑越大，所以離子半徑x＜z，故a錯誤；
b．y單質是矽，矽是良好的半導體材料，光導纖維的主要成分是二氧化矽，故b錯誤；
c．元素的非金屬性越強，其簡單陰離子還原性越弱，非金屬性w＞z，所以z 的氫化物比w的氫化物的還原性更強，故c正確；
d．x和w形成的化合物為mgcl2，氯化鎂中只含離子鍵，故d錯誤；
故選c．
如圖所示的電路中,電源電壓為12V,定值電阻R的阻值為20,滑動變阻器R 的最大阻值為
1 當滑片p由a端移動到b端的過程中，電路的總電阻逐漸增加 電路的電流逐漸減小。所以 電阻r上消耗的電功率逐漸 變小。2 當滑片p在a端時候 電路的電流 i 12 20 0.6安 r上的消耗的電功率p i 2 r 0.6 0.6 20 7.2w3 當滑片p在b端時候 電路的電流 i 12 20 40...
如圖所示為某家族中白化病遺傳系譜，請分析並回答下列問題（以A a表示有關的基因）
1 隱性遺傳 2 5 aa 9 aa 3 aa 1 4 aa 1 2 4 8號aa機率2 3,9號患者aa，兩者生出患者x1 4，所以1 9 5 首先生女兒的機率是1 2，後代患病的機率是1 4，所以生女兒且患病的機率是1 8 10號是aa的機率2 3x患者aa 2 3x1 2 1 36 a 1 隱...
（2019 宜賓）在如圖所示的電路中，電源電壓和燈泡電阻都保
因為燈泡和滑動變阻器並聯，電壓表測量並聯電路兩端的電壓，而並聯電路兩端電壓等於電源電壓，因此滑片移動時，電壓表示數不變 電流表測量通過滑動變阻器的電流，當滑片向右移動時，滑動變阻器接入電路的阻值增大，由歐姆定律可得，滑動變阻器中的電流減小，即電流表示數減小 故選a d 2006?閔行區模擬 如圖所示...