1樓：匿名使用者
一、為場效電晶體提供偏置電壓；二、起到瀉放電阻的作用——保護柵極g-源極s；第一個作內用好理解，這裡容解釋一下第二個作用的原理——保護柵極g-源極s：場效電晶體的g-s極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的g-s極間的等效電容兩端產生很高的電壓，如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場效電晶體產生誤動作，甚至有可能擊穿其g-s極；這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護場效電晶體的作用。
2樓：匿名使用者
如果s極接地話 這個電阻就是為g極提供偏置電壓的。
柵極與源極之間加一個電阻，這個電阻起到什麼作用
3樓：匿名使用者
一是為場效電晶體提供偏置電壓；
二是起到瀉放電阻的作用：保護柵極g-源極s。
4樓：
電阻起限流作用上面加電阻估計小了所會擊穿場效電晶體
5樓：馮豔焦易綠
第一個作用好理解，這裡解釋一下第二個作用的原理——保護柵極g-源極s：場效電晶體的g-s極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的g-s極間的等效電容兩端產生很高的電壓，如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場效電晶體產生誤動作，甚至有可能擊穿其g-s極；這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護場效電晶體的作用。
場效電晶體柵極與源極上加電阻是起到什麼作用?還有柵極上的電阻加10歐母可一吧?
6樓：匿名使用者
場效電晶體柵極與源極間的電阻起到保護場效電晶體不被靜電擊穿的作用，取值10k。柵極串聯電阻決定場效電晶體的開通速度，取10~47歐。
在mos管的源極和柵極之間並一個電阻,是為電源瞬間上電時候保護mos的寄生電感。該如何理解這句話？
7樓：
mos管如果
抄g端懸空的話，會使mos管導通，造成mos管因電流過大而燒燬，加電阻的作用是拉地電阻，起到限流的作用，防止其懸空導通燒燬！
mos管是一個esd敏感元件，本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以很容易受外界或者靜電影響而帶電，容易引起靜電擊穿。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。
mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能，這樣的器件被認為是對稱的。
柵源間的過電壓保護：如果柵源間的阻抗過高，則漏源間電壓的突變會通過極間電容耦合到柵極而產生相當高的ugs電壓過沖，這一電壓會引起柵極氧化層永久性損壞，如果是正方向的ugs瞬態電壓還會導致器件的誤導通。為此要適當降低柵極驅動電路的阻抗，在柵源之間並接阻尼電阻或並接穩壓值約20v的穩壓管，特別要注意防止柵極開路工作。
在mos管的源極和柵極之間並一個電阻,是為保護mos的寄生電感,在電源瞬間上電時候?該如何理解呢 20
8樓：
mos管如果g端懸空的話，會使mos管導通，造成mos管因電流過大而燒燬，加電阻的作用是拉地電阻，起到限流的作用，防止其懸空導通燒燬！
mos管是一個esd敏感元件，本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以很容易受外界或者靜電影響而帶電，容易引起靜電擊穿。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。
mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能，這樣的器件被認為是對稱的。
柵源間的過電壓保護：如果柵源間的阻抗過高，則漏源間電壓的突變會通過極間電容耦合到柵極而產生相當高的ugs電壓過沖，這一電壓會引起柵極氧化層永久性損壞，如果是正方向的ugs瞬態電壓還會導致器件的誤導通。為此要適當降低柵極驅動電路的阻抗，在柵源之間並接阻尼電阻或並接穩壓值約20v的穩壓管，特別要注意防止柵極開路工作。
9樓：匿名使用者
是為了放電，因為mos管內部類似於一個電容，如果dout沒有下拉功能，mos導通後就會一直處於導通狀態，這裡並聯一個電容後，當dout變成低電位時，可以把mos管結電容的電放掉！如果訊號有下拉功能，可以取消此電阻！
10樓：只是寂寞微染
源極與柵極之間電阻很大，他們之間會有一定的電容量（二極體也有叫pn節電容，所以高頻訊號時要考慮到pn節電容），
並上電阻之後，當訊號由大電壓變小時他們之間通過電阻放電，當訊號電壓由小到大變時就不會與極間電容的電壓疊加（因為極間電容的電已經通過電阻放掉了），訊號電壓就不足於擊穿，起到保護作用
11樓：匿名使用者
你這個問題我幫你在大位元電子變壓器論壇發過帖子了，就等待那邊的高手提供更詳細的解答。
如果有回答，第一時間通知你，你可以留個郵箱。如果問題比較急，你可以登入論壇然後搜尋你的標題看別人的回答也行。
mos管的d漏極和s源極之間連線電阻是起什麼作用
12樓：
這個電阻影響g極電流，即其大小影響mos管開關速度。同時，此電阻阻值也與mos管振鈴現象有關。
再具體的，你可以查下mos管驅動電路的資料
mos管的g極和s極之間加一個電阻有何作用
mos管上的源級電阻作用是什麼
13樓：匿名使用者
由問題可知你bai對mos管還是du
有一定的瞭解。
一般的迴路zhi
圖裡，mos管的dao源極接一個電阻，
回然後接地。此電阻一般很小，為毫歐答級，主要用於電流取樣，把電流訊號轉化為電壓訊號，用於監控迴路電流。
如還有疑問可把迴路圖貼出來。
請問輸入柵極與源極之間輸入的電源要串電阻限流嗎
14樓：驀然回首
場效管復的特點就是輸入制阻抗高，屬於電壓控制器件，所以，其柵極不必串電阻限流。有時候即使串了一個電阻，其目的也不是為了限流，而是對輸入訊號進行濾波或得到所需的頻率特性。在它的柵極與源極之間輸入15v時，由於輸入阻抗高，也不可能產生30ma的輸入電流，所以，一般是沒有問題的。
當然，最好是查查它的最大輸入引數（主要是電壓引數），不要超過其最大值。
15樓：匿名使用者
你是說mos管柵極限流bai電du阻吧？mos管柵極要串限流電阻，zhi阻值大小是跟據dao結電容大小，開
版關頻率等計算出來的，一權般幾歐--幾十歐。柵極與源極之間一般加10k電阻是為了mos管g極可靠拉低，防止誤導通。這是兩個不同用處的。
--irf630/200v/9a，驅動電壓15v沒問題，但是驅動電流30ma是開關時峰值就這麼小嗎？你的管子會非常燙吧？
MOS的源極和漏極有什麼區別
mos管的定義 場效電晶體的結構是在一塊n型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的p型區域，用p 表示，形成兩個p n結。n型半導體的兩端引出兩個電極，分別稱為漏極d和源極s。把兩邊的p區引出電極並連在一起稱為柵極g。如果在漏 源極間加上正向電壓，n區中的多子 也就是電子 可以導電。它們從源極s出發，流...
理想電流源與理想電壓源串聯後理想電壓源不起作用？為什麼在這個題目當中沒效果
我想你是不是理解錯意思了，這道題考察疊加定理，疊加定理就是保留受控源，然後理想電壓源和理想電流源都拿掉，一次只研究一個理想源。然後把每個分量加起來。問題關鍵在於電源等效變換是對外等效，因為內電路結構發生變化。該題中，如果將與 專電流源串聯部分直接去屬掉，對於求i1沒有問題 i1是外電路中的量 但沒法...
電壓源與穩壓電路
我們通常遇到的電源，或者說預設的 無需說明的電源，都是指電壓源。電壓源的屬性就是負載 外電阻 變化時，電源企圖維持輸出電壓不變，但是電源輸出電流時，電源內部也會消耗能量，輸出電流增大，內部消耗的能量也增大，造成輸出電壓降低，全電路歐姆定律就是引入內阻 r 而全面地反映出電壓源與外電阻 負載 的關係 ...