1樓：安慕虛
mos管
mos管的英文全稱叫mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor)，即金氧半導體型場效電晶體，屬於場效應電晶體中的絕緣柵型。因此，mos管有時被稱為場效電晶體。在一般電子電路中，mos管通常被用於放大電路或開關電路。
而在主機板上的電源穩壓電路中，mosfet扮演的角色主要是判斷電位，它在主機板上常用“q”加數字表示。
一、mos管的作用是什麼？
目前主機板或顯示卡上所採用的mos管並不是太多，一般有10個左右，主要原因是大部分mos管被整合到ic晶片中去了。由於mos管主要是為配件提供穩定的電壓，所以它一般使用在cpu、agp插槽和記憶體插槽附近。其中在cpu與agp插槽附近各安排一組mos管，而記憶體插槽則共用了一組mos管，mos管一般是以兩個組成一組的形式出現主機板上的。
二、mos管的效能引數有哪些？
優質的mos管能夠承受的電流峰值更高。一般情況下我們要判斷主機板上mos管的質量高低，可以看它能承受的最大電流值。影響mos管質量高低的引數非常多，像極端電流、極端電壓等。
但在mos管上無法標註這麼多引數，所以在mos管表面一般只標註了產品的型號，我們可以根據該型號上網查詢具體的效能引數。
還要說明的是，溫度也是mos管一個非常重要的效能引數。主要包括環境溫度、管殼溫度、貯成溫度等。由於cpu頻率的提高，mos管需要承受的電流也隨著增強，提供近百a的電流已經很常見了。
如此巨大的電流通過時產生的熱量當然使mos管“發燒”了。為了mos管的安全，高品質主機板也開始為mos管加裝散熱片了。
電感與mos管是如何合作的？
通過上面的介紹，我們知道mos管對於整個供電系統起著穩壓的作用，但是mos管不能單獨使用，它必須和電感線圈、電容等共同組成的濾波穩壓電路，才能發揮充分它的優勢。
主機板上的pwm(plus width modulator，脈衝寬度調製器)晶片產生一個寬度可調的脈衝波形，這樣可以使兩隻mos管輪流導通。當負載兩端的電壓(如cpu需要的電壓)要降低時，這時mos管的開關作用開始生效，外部電源對電感進行充電並達到所需的額定電壓。當負載兩端的電壓升高時，通過mos管的開關作用，外部電源供電斷開，電感釋放出剛才充入的能量，這時的電感就變成了“電源”，繼續對負載供電。
隨著電感上儲存能量的不斷消耗，負載兩端的電壓又開始逐漸降低，外部電源通過mos管的開關作用又要充電。這樣迴圈不斷地進行充電和放電的過程，從而形成一種穩定的電壓，永遠使負載兩端的電壓不會升高也不會降低。
這個比較適合大家看
2樓：
mos管就是用低電壓控制導通。mos管有三個極，柵極，漏極，源極，可以用一個極控制其他2個極的導通。主要是控制。
3樓：匿名使用者
對於cpu供電電路，由於現在的cpu功耗非常大，從低負荷到滿負荷，電流的變化是非常大的。為了保證cpu能夠在快速的負荷變化中，不會因為電流**不上而歇菜，cpu供電電路要求具有非常快速的大電流響應能力。供電電路中的mosfet，電感線圈和電容都會影響到這一能力。
一個最理想的狀態是，廠商使用最快速的mosfet，高磁通量粗導線的電感線圈，以及超低esr的輸入輸出電容。但實際上，出於成本的考慮，並不能實現。不同的主機板廠商，對選料的著重點不一樣。
甲廠商可能會選用快速的mosfet，快速的mosfet的開關噪聲比較小，這樣就可以將輸入輸出的電容等級下降一點。intel的主機板使用高導磁的電感磁芯（降低了線圈的損耗電流），因此它的線圈使用單根比較粗一點的就可以了。但大多數廠商會使用便宜一點的磁芯，使用三線並繞的方式來解決，這樣即使損耗大一些，線圈也不會發太多的熱。
對於輸入輸出電容，一般的要求是，輸入電容要儘可能的大，相對容量的要求，對esr的要求可以降低一點，因為輸入電容主要是耐壓，其次要吸收mosfet的開關脈衝，對輸出電容，耐壓得要求和容量可以低一點（intel的主機板，這部分的電容往往都是4~6.3v，470~680左右的容量），esr的要求要高一點，因為要保證足夠的電流通過量，但並不是越低越好，低esr電容會引起開關電路振盪，而消振電路比較複雜，而且會增加很大的成本。因此廠商往往會在實驗電路板上得出一個合適的引數值，然後以此作為元件選用引數，這樣可以不用消振電路.
mos管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連線好)。從圖1(a)可以看出，增強型mos管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的pn結。當柵-源電壓vgs=0時，即使加上漏-源電壓vds，而且不論vds的極性如何，總有一個pn結處於反偏狀態，漏-源極間沒有導電溝道，所以這時漏極電流id≈0。
若在柵-源極間加上正向電壓，即vgs＞0，則柵極和襯底之間的sio2絕緣層中便產生一個垂直於半導體表面的由柵極指向襯底的電場，這個電場能排斥空穴而吸引電子，因而使柵極附近的p型襯底中的空穴被排斥，剩下不能移動的受主離子(負離子)，形成耗盡層，同時p襯底中的電子（少子）被吸引到襯底表面。當vgs數值較小，吸引電子的能力不強時，漏-源極之間仍無導電溝道出現，如圖1(b)所示。vgs增加時，吸引到p襯底表面層的電子就增多，當vgs達到某一數值時，這些電子在柵極附近的p襯底表面便形成一個n型薄層，且與兩個n+區相連通，在漏-源極間形成n型導電溝道，其導電型別與p襯底相反，故又稱為反型層，如圖1(c)所示。
vgs越大，作用於半導體表面的電場就越強，吸引到p襯底表面的電子就越多，導電溝道越厚，溝道電阻越小。我們把開始形成溝道時的柵-源極電壓稱為開啟電壓，用vt表示。
由上述分析可知，n溝道增強型mos管在vgs＜vt時，不能形成導電溝道，管子處於截止狀態。只有當vgs≥vt時，才有溝道形成，此時在漏-源極間加上正向電壓vds，才有漏極電流產生。而且vgs增大時，溝道變厚，溝道電阻減小，id增大。
這種必須在vgs≥vt時才能形成導電溝道的mos管稱為增強型mos管。
4樓：
類似於三極體，你要一點電子知識也沒有，那就說不明白了
5樓：匿名使用者
mos管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連線好)。增強型mos管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的pn結。
主機板上的pwm(plus width modulator，脈衝寬度調製器)晶片產生一個寬度可調的脈衝波形，這樣可以使兩隻mos管輪流導通。當負載兩端的電壓(如cpu需要的電壓)要降低時，這時mos管的開關作用開始生效，外部電源對電感進行充電並達到所需的額定電壓。當負載兩端的電壓升高時，通過mos管的開關作用，外部電源供電斷開，電感釋放出剛才充入的能量，這時的電感就變成了“電源”，
當柵-源電壓vgs=0時，即使加上漏-源電壓vds，而且不論vds的極性如何，總有一個pn結處於反偏狀態，漏-源極間沒有導電溝道
高分懸賞！！！！！！！！！！！！ 作文好的進：學習總結的方法
6樓：王王王沙沙沙
1 學會寫日記
2 會運用一些比喻句，反問句~~~~~~~~~~~~~~~~
7樓：匿名使用者
英語，要都聽多讀多寫，完美的卷子100門
大家能否幫助我，高分懸賞幾點疑問！ 200
8樓：
完全是題海戰術
物理關鍵是搞明白原理
9樓：霜の琉璃
我是以前河南的一個考生 真的是玩命的拼過了獨木橋
第一：心態平和 不能著急 我認識一個模擬考全市第一的強人 高四的 就因為緊張 高考砸了 比我考的還少 首先心態擺正 你給不給自己壓力 都要高考 那何必多想
第二：越考越差不代表什麼 可能跟題目等等客觀因素有關 模擬考的任何成績都不是高考分數
第三：總結一下自己的學習方法有沒有問題 平時做的題目是不是高考的風格 一定要大量熟悉真題 有些學校給的資料 出題風格跟高考十萬八千里 一點都不強調基礎 淨是花哨的技巧
為什麼每年名校升學率那麼高 一般學校升學率那麼低 不是老師強調的學生不用功 是教學質量有問題 自己多動腦筋 跟著高考的出題風格走 把基礎一定要牢之又牢的打好
這是我自己的一點經驗 有問題歡迎繼續交流
10樓：法開泰
那當然是有方法的嘛，一來嘛。做好課堂筆記，要記得是什麼呢。
就是老師，課堂上講解題目時的心得。揣摩說的每句話，然後把它記下來。
而後，看筆記。
最後，做一些相關筆記的題型，拒絕題海戰術。要做精題，達到，舉一反三，以不變應萬變的效果。。 那激情和動力，那就是看以前做錯的題，
和自己比，看現在自己會做了與否。 記住永遠要和自己比。。。。
11樓：假小人邵丹
我是湖北黃岡的。告訴你們我們怎麼學的，早上6點到晚上10點。每週日下午第三節課
12樓：神的水一滴
我是江蘇南通的 你們那裡的高考是理綜的？
江蘇這個地方比較奇葩的 高考模式一直在變 我是理科生 我覺得數學一定要考好 這是拿高分的基礎 然後嘛語文多積累點範文 到了高三老師應該會給你們那種閱讀題的答題模式的 然後對於物理化學記得把握課堂和作業時間 其他主要時間還是多搞好語數外吧 理科的要注意體會一個字“悟”！這是我們班主任說的~~~
那時候也沒什麼特別豪壯的激情 就要記得把心靜下去學就可以了 不要一直有高考這個負擔就行了 我經歷過高考現在就覺得往回看那時其實也沒什麼的
13樓：藍所可
來我們河南吧，考察考察你就曉得了，每年被逼瘋的不在少數啊，
其實只有競爭才有高分，每年那麼大的升學壓力可不是蓋的。
當年我們班是重點班，比其他班嚴，每天5:20起床，三餐加起來用不了一個小時，9:20下晚自習，回去後先洗刷再在床上學到11:00
每個星期休息一節課，每四個星期休息兩天半
高二高一的睡覺早一點，空餘時間多一點，大家都是趴桌子上午睡的
快高考時有學到夜裡12點多甚至更晚的
其實你問的這些問題，你心裡也有自己的答案吧，學習方法是自己摸索的，跟著心中認為正確的走就行了。
每個地方有不同的特色，我們這裡好多人都成了書呆子，進了大學很快就適應不了被其他人比下去了，死學其實不好，但沒辦法，其實我們都很羨慕你們。
只要你在你們的跑道上是領先者就行了，並不一定成績好就是成功者啊，加油吧！o(∩_∩)o~
誰能用通俗易懂的語言給我講講CAPM資本資產定價模型啊
資本資產定價模型 capm 假設所有投資者都按馬克維茨的資產選擇理論進行投資，對期望收益 方差和協方差等的估計完全相同，投資人可以自由借貸。基於這樣的假設，資本資產定價模型研究的重點在於探求風險資產收益與風險的數量關係，即為了補償某一特定程度的風險，投資者應該獲得多少的報酬率。1 投資者希望財富越多...
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