1樓:
一、單極型電晶體
在目前使用的pnp或npn面結型電晶體的工作中,包括金屬-氧化物-半導體電晶體在內的場效應電晶體,只需要一種載流子,這種電晶體就叫做單極電晶體。單極電晶體即場效應電晶體,因為場效應電晶體在工作時,半導體中只有多數載流子起主要作用,所以又稱為單極電晶體。
二、雙極型電晶體
電晶體全稱雙極型三極體(bipolar junction transistor,bjt)又稱晶體三極體,簡稱三極體,是一種固體半導體器件,可用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、訊號調製等。
電晶體作為一種可變開關.基於輸入的電壓,控制流出的電流,因此電晶體可用作電流的開關。和一般機械開關(如relay、switch)不同的是:電晶體是利用電訊號來控制,而且開關速度非常快,在實驗室中的切換速度可達100吉赫茲以上。
擴充套件資料
雙極型電晶體與mosfet的比較:
1、驅動功率不同
場效電晶體是壓控器件,其柵源極輸入阻抗極高,只需要在柵源極間建立電場,即可控制漏源極電流。柵極驅動電壓僅在輸入端柵源極電容之間建立充電電流,而不直接驅動ids。
因此,其輸入阻抗與電子管相近,這就使得mosfet器件驅動電路大大簡化,用cmos器件、ttl 器件等均可以組成柵極驅動電路,使整機功耗減小。
2、二次擊穿現象不同
二次擊穿是指由於雙極型電晶體具有正溫度係數特性,集電極電流產生的溫升使集電極電流上升,如此惡性迴圈,造成電晶體熱擊穿。功率mos管電流ids為負溫度係數,隨著溫度的升高,電流受到限制,因此不會發生二次擊穿現象,安全工作區較雙極型器件也更寬。
3、並聯使用不同
為了增大mosfet的工作電流,可以把多個mos管並聯使用。功率mos器件的導通電阻rds(on)具有正溫度係數,隨著溫度的升高,導通電阻也越大。這種特性使得mos管容易並聯,並且在並聯使用時漏極電流具有自動均流作用,不必外加均流電阻。
4、開關速度不同
場效電晶體是一種由多數載流子參與導電的單極型器件,通過控制柵源電壓控制產品的開關,無少子儲存問題,因而關斷過程非常迅速;當驅動脈衝截止時,只要利用簡單的放電電路將柵源電容的充電電荷釋放即可立即關斷。
相比雙極型電晶體,功率mos管具有輸入阻抗高、驅動電流小的優點,還具有耐壓高、輸出功率高、跨導線性好、無二次擊穿等優良特性,能夠有效提高系統效率、減小裝置體積,因此在開關電源、逆變器、功率放大器等電路中使用廣泛。
2樓:滋小味
一、單極型電晶體
單極型電晶體也稱場效電晶體,簡稱fet(field effect transistor)。它是一種電壓控制型器件,由輸入電壓產生的電場效應來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子(多數載流子)參與導電,故稱為單極型電晶體。
特點:
輸入電阻高,可達107 ~ 1015 ω,絕緣柵型場效電晶體(igfet) 可高達 1015 ω。
噪聲低,熱穩定性好,工藝簡單,易整合,器件特性便於控制,功耗小,體積小,成本低。 分類:
根據材料的不同可分為結型場效電晶體jfet (junction field effect transistor)和絕緣柵型場效電晶體igfet(insulated gate fet) 。 二、雙極型電晶體
雙極型電晶體也稱晶體三極體,它是一種電流控制型器件,由輸入電流控制輸出電流,其本身具有電流放大作用。它工作時有電子和空穴兩種載流子參與導電過程,故稱為雙極型三極體。 特點:
三極體可用來對微弱訊號進行放大和作無觸點開關。它具有結構牢固、壽命長、體積小、耗電省等一系列獨特優點,故在各個領域得到廣泛應用。 分類:
根據材料的不同晶體三極體可分為矽管(si)與鍺管(ge)。
矽三極體的反向漏電流小,耐壓高,溫度漂移小,且能在較高的溫度下工作和承受較大的功率損耗。鍺三極體的增益大,頻率響應好,尤其適用於低壓線路。
3樓:汝嫣勿忘
雙極性電晶體(bjt,bipolar junction transistor):又稱晶體三極體、半導體三極體等,簡稱三極體。有兩種不同極性的載流子(電子與空穴)同時參與導電,故稱為雙極型電晶體。
根據材料的不同可分為結型場效電晶體jfet (junction field effect transistor)和絕緣柵型場效電晶體igfet(insulated gate fet) 。
單極性電晶體:只有一種極性的多數載流子(電子或空穴)參與導電,故稱為單極型電晶體,如場效電晶體等。根據材料的不同晶體三極體可分為矽管(si)與鍺管(ge)。
矽三極體的反向漏電流小,耐壓高,溫度漂移小,且能在較高的溫度下工作和承受較大的功率損耗。鍺三極體的增益大,頻率響應好,尤其適用於低壓線路。
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