1樓：雅各
常見的晶體缺陷不包括什麼如下攜伍，晶體缺陷的三種形式分別是點缺陷、線缺陷、面缺陷，其中點缺陷包括間隙原子和空位，以及填位，線缺陷包括刃位錯和螺位錯，面缺陷敗圓則包括層錯、相介面。
在理想完整的晶體中，原子按一定辯枯或的次序嚴格地處在空間有規則的、週期性的格點上，但在實際的晶體中，由於晶體形成條件、原子的熱運動及其它條件的影響，原子的排列不可能那樣完整和規則，往往存在偏離了理想晶體結構的區域，這些與完整週期性點陣結構的偏離就是晶體中的缺陷，被稱為晶體缺陷。
2樓：網友
晶體缺陷就是實際晶體中偏離理想結構的不完整區域。
根據晶體中結構不完整區域的形狀及大小， 晶體缺陷常分為如下三類：
點缺陷。脫位原子一般進入其他空位或者逐漸遷移至晶界或表面，這樣的空位通常稱為肖脫基空位或肖脫基缺陷。
晶體中的原子有可能擠入結點的間隙，則形成另一種型別的點。
缺陷---間隙原子，同時原來的結點位置也空缺了，產生另乙個空位，通常把這一對點缺陷（空位和間隙原子）稱為弗蘭克爾缺陷。
置換原子缺陷等型別。
點缺陷型別**：
離子晶體的點缺陷。
離子晶體中點缺陷要求保持區域性電中性，常見的兩種點缺陷：
肖脫基缺陷：等量的正離子空位和負離子空位。
弗蘭克爾缺陷：等量的間隙原子、空位。
離子晶體中的點缺陷**：
點缺陷源於原子的熱振動，故其平衡濃度隨著溫度公升高指數增加。
點缺陷數量明顯超過平衡值時叫過飽和點缺陷派滑，產生原因為淬火、輻照、冷塑性變形。
溫度導致點缺陷變化**：
位錯攀移引起點缺陷的變化**：
刃位錯的形成。
刃型位錯一晶體中半原子面邊緣周圍的原子位置錯排區。
刃位錯的形成**：
螺型位錯——晶體中螺旋原子面軸線周圍的原子位置塵攜臘錯排區。
螺位錯的形成**：
混合位隱謹錯——原子位置錯拝區中既有半原子面也有螺旋原子面的位錯。
混合位錯**：
位錯的滑移。
刃位錯的運動**：
螺位錯的運動**：
位錯的攀移。
攀移運動**：
攀移的原子模型：
伯氏向量的確定。
先在有位錯的晶體中用一閉合迴路包圍位錯線，迴路應遠離位錯中心晶格嚴重畸變區。再在理想晶體中作一相同迴路，但該回路的終點與起點並不重合。從終點向起點作一向量使兩點相連，該向量定義為該位錯的柏氏向量。
伯氏向量的確定**：
面缺陷。有晶界、孿晶界、相界、表面等分類。
3樓：網友
長見得晶體缺陷不包括：斷裂。包括，（點，線，面）缺陷。
4樓：南風知淮意
斷裂。常見的晶體缺陷不包括斷裂。
晶體缺陷是什麼？
5樓：良師益友詩和遠方
晶體缺陷（crystal defects）是指晶體內部結構完整性受到破壞的所在位置。按其延展程度可分成點缺陷、線缺陷和麵缺陷。
晶體結構中質點排列的某種不規則性或不完善性。又稱晶格缺陷。表現為晶體結構中區域性範圍內，質點的排布偏離週期性重複的空間格仔規律而出現錯亂的現象。
點缺陷，只涉及到大約乙個原子大小範圍的晶格缺陷。它包括：晶格位置上缺失正常應有的質點而造成的空位；由於額外的質點充填晶格空隙而產生的填隙；由雜質成分的質點替代了晶格中固有成分質點的位置而引起的替位等。
在類質同象混晶中替位是一種普遍存在的晶格缺陷。
線缺陷，是沿著晶格中某條線的周圍，在大約幾個原子間距的範圍內出現的晶格缺陷。位錯是其主要的表現形式。具有位錯的晶體結構，可看成是區域性晶格沿一定的原子面發生晶格的滑移的產物。
滑移不貫穿整個晶格，晶體缺陷到晶格內部即終止，在已滑移部分和未滑移部分晶格的分界處造成質點的錯亂排列，即位錯。這個分界外，即滑移面在晶格內的終止線，稱為位錯線。
晶體中的晶體缺陷有哪些
6樓：阿沾
點缺陷、線缺陷—位錯、面缺陷。
1、點缺陷，只涉及到大約乙個原子大小範圍的晶格缺陷。
2、線缺陷—位錯，位錯的概念1934年由泰勒提出到1950年才被實驗所實具有位錯的晶體結構，可看成是區域性晶格沿一定的原子面發生晶格的滑移的產物。
3、面缺陷，是沿著晶格內或晶粒間的某個面兩側大約幾個原子間距範圍內出現的晶格缺陷。主要包括堆垛層錯以及晶體內和晶體間的各種介面，如小角晶界、疇界壁、雙晶介面及晶粒間界等。
性質晶體缺陷的存在對晶體的性質會產生明顯的影響。實際晶體或多或少都有缺陷。適量的某些點缺陷的存在可以大大增強半導體材料的導電性和發光材料的發光性，起到有益的作用；而位錯等缺陷的存在，會使材料易於斷裂，比近於沒有晶格缺陷的晶體的抗拉強度，降低至幾十分之一。
晶體缺陷有的是在晶體生長過程中，由於溫度、壓力、介質組分濃度等變化而引起的；有的則是在晶體形成後，由於質點的熱運動或受應力作用而產生。它們可以在晶格內遷移，以至消失；同時又可有新的缺陷產生。
實際金屬晶體中存在有哪些晶體缺陷，對效能有什麼影響
7樓：生活小沈童
點缺陷、線缺陷、面缺陷三種缺陷。
其中點缺陷包括空位、間隙原子、置換原子，線缺陷包括刃型位錯、螺型位錯。面缺陷包括晶體的表面、晶界、亞晶界、相界。對力學效能地影響，使得金屬塑性、硬度以及抗拉壓力顯著降低等等。
在晶界、亞晶界或金屬內部的其他介面上，原子的排列偏離平衡位置，晶格畸變較大，位錯密度較大(可達1016m-2以上)，原子處於較高的能量狀態，原子的活性較大，所以對金屬中許多過程的進行，具有極為重要的作用。晶界和亞晶界均可提高金屬的強度。晶界越多，晶粒越細，金屬的塑性變形能力越大，塑性越好。
8樓：上海艾荔艾金屬材料****
晶體缺陷有點缺陷、線缺陷、面缺陷三種缺陷。
其中點缺陷包括空位、間隙原子、置換原子。
線缺陷包括刃型位錯、螺型位錯。
面缺陷包括晶體的表面、晶界、亞晶界、相界。
它們對力學效能的影響：使得金屬塑性、硬度以及抗拉壓力顯著降低等等。
三種晶體缺陷的關係是
9樓：小林
1. 近介面缺陷：這類缺陷位於晶體表面附近，它們往往會影響晶體的光學效能。
通常情況轎差高下，這類缺陷是由晶體中原子沉積在表面上組成的，它們可以影響晶體表面的光學特性，從而導致晶體的效能受到影響。
2. 內部缺陷：這類缺陷位於晶體的內部，它們會影響晶體的物理效能。
通常情況下，這類缺陷是由晶體中的原子不匹配、晶格縮小或者晶格扭閉尺曲等引起的，這會使晶體的力學效能受到影慶運響。
3. 表介面缺陷：這類缺陷位於晶體表面，它們會影響晶體的電學效能。它們可以是由晶體表面的雜質，例如氧化物、氣泡等引起的，它們會使晶體的電學效能受到影響。
晶體缺陷的性質
10樓：喝億口生椰抹茶
晶體缺陷的性質如下：
1、造成晶體非完整性：晶體缺陷對於晶體的長程有序性的破壞使其處於非完整狀態，在這種狀態下具有與完整性不同的物理和化學特性。
2、影響晶體的力學性質：缺陷對晶格的機械穩定性產生直接作用，導致晶體在承受應力時表現出強度、斷裂模式、塑性和脆性等不同的行為。
3、影響晶體的電學性質：缺陷會導致離子或電荷的重新排布，這會影響晶體的電導率、介電常數、電場效應和光學效能等。
4、影響晶體的熱學性質：缺陷會引起形變使得晶體的熱膨脹係數的變化、導致晶格振動頻率改變、能帶結構的變化等。
5、影響晶體的光學性質：缺點可以對物質吸收、激發和交換光子起到重要作用，還能影響物質的折射率、散射、色散等。
6、晶體缺陷有利於材料的功能設計：材料中新增一定量的缺陷可以達到調製電導率、增強陶瓷的斷裂韌性、甚至是產生啟動感測器或結構柔性等新功能。
晶體：
晶體是由具有一定規律性的原子、離子或分子在空間中週期性排列而成的固體物質。這種週期性排列呈現出高度的對稱性和重複性，使得晶體在微觀上具有規則的結構與性質，在巨集觀上表現出諸多傑出的物理和化學特性。
所有的晶體都有其自己獨特的晶體結構，它是由一定量的基本構件重複排列所形成的。晶體結構遵循幾何學上的對稱性，並配合極端高質量的晶體生長技術，這些構件可以排列成不同的形態，例如球狀、柱狀、錐狀等。晶體的不同方向和不同平面表現出不同的優異效能，具有廣泛應用的價值。
晶體在材料製備和工業生產中起著重要的作用，例如半導體器件、光電子裝置和感測器等。此外，晶體還被應用於電子學、光學、醫藥化工等眾多領域。越來越多的研究人員開始探索如何通過精確的晶體設計和製備，提高晶體材料的功能性和市場應用前景。
晶體中的位錯屬於什麼缺陷
11樓：訫濬嚸
晶體中的和伏位錯屬於晶體缺陷。
1、晶體缺陷是指晶體中不完整的原子排列，包括點缺陷、線缺陷和麵缺陷。其中，點缺陷是指晶體中某些位置缺失或存在多餘的原子，如空位缺陷、插入原子、替代原子等；線缺陷是指晶體中沿著某個方向出現的原子排列的搏襲不連續性，即位錯；面缺陷是指晶體中平面上原子排列的不完整性，如晶界、堆垛層錯等。
2、位錯是晶體中最基本的線缺陷，是指晶體中原子排列的不連續性。位錯可以通過一系列的運動和相互作用影響晶體的形成和喚銀攜效能，是材料力學和材料學中重要的概念。例如，在金屬材料的塑性變形中，位錯的運動和相互作用導致材料發生塑性變形。
因此，對位錯的研究對於瞭解材料的力學效能和加工效能具有重要的意義。
3、位錯的種類和性質不同，可以影響晶體材料的力學效能和電學效能。一般來說，位錯可以分為邊緣位錯和螺旋位錯兩種。
4、邊緣位錯是指晶體中兩個部分的原子排列在一條直線上發生了不連續性，即兩部分原子排列方向不同。邊緣位錯的位錯線與晶體表面平行，因此邊緣位錯對材料的力學效能影響較大，可以影響材料的斷裂和塑性變形。
5、螺旋位錯是指晶體中兩個部分的原子排列沿著一條螺旋線發生了不連續性。螺旋位錯的位錯線不與晶體表面平行，因此對材料的力學效能影響較小，但可以影響材料的導電效能和磁效能等電學性質。
位錯的性質和運動機制是材料學中重要的研究方向。位錯的運動機制可以通過理論計算、電子顯微鏡等手段來研究，可以為材料的設計和效能優化提供重要的理論基礎。
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