1樓：
字朝人放正：g-d-s排列。直插to-220封裝的場效電晶體基本都一樣。
第一個是g柵極，第二個是d漏極，第三個是s源極。5n60是n溝道mos場效電晶體，g柵極與ds兩極不通（絕緣，耐壓小於30v）。ds之間有一個寄生二極體（s→d）。
===fgp5n60ufd - 600v, 5a ， igbt 不是場效電晶體，是igbt即「絕緣柵雙極電晶體」，gce排列，引腳同場效電晶體基本一樣。
2樓：秋風
gfp5n60場效電晶體的引腳源柵漏極：第一個是g柵極，第二個是d漏極，第三個是s源極。正放排列分別是g-d-s排列。
場效電晶體源極電位比柵極電位高（約0.4v)。
場效電晶體是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而電晶體是即有多數載流子,也利用少數載流子導電,被稱之為雙極型器件.
有些場效電晶體的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比電晶體好.場效電晶體能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效電晶體整合在一塊矽片上,因此場效電晶體在大規模積體電路中得到了廣泛的應用。
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
3樓：匿名使用者
查無資料，你看清型號了嗎？
場效電晶體的柵極g、源極s和漏極d分別是哪三個單詞的縮寫？
4樓：蓴灬叔
柵極來(gate)；
漏極自(drain)；
源極(source)。
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
5樓：匿名使用者
柵極(gate)
漏極(drain)
源極(source)
mos管的源極和漏極有什麼區別
6樓：四舍**入
一、指代不同
1、源極：簡稱場效電晶體。t僅是由多數載流子參與導電，與雙極型相反，也稱為單極型電晶體。
2、漏極：利用外部電路的驅動能力，減少ic內部的驅動， 或驅動比晶片電源電壓高的負載。
二、原理不同
1、源極：在一塊n型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的p型區（用p+表示），就形成兩個不對稱的p+n結。把兩個p+區並聯在一起，引出一個電極，稱為柵極（g），在n型半導體的兩端各引出一個電極。
2、漏極：將兩個p區的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在n型矽片兩端各引出一個電極。
7樓：匿名使用者
1、區別：源極(source)source資源，電源，中文翻譯為源極。起集電作用的電極。漏極(drain)drain排出，洩漏，中文翻譯為漏極。起發射作用的電極。
2、mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。
這樣的器件被認為是對稱的。
8樓：血刺廢車
mos管的定義：場效電晶體的結構是在一塊n型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的p型區域，用p+表示，形成兩個p+n結。n型半導體的兩端引出兩個電極，分別稱為漏極d和源極s。
把兩邊的p區引出電極並連在一起稱為柵極g。如果在漏、源極間加上正向電壓，n區中的多子（也就是電子）可以導電。它們從源極s出發， 流向漏極d。
電流方向由d指向s，稱為漏極電流id.。由於導電溝道是n型的，故稱為n溝道結型場效電晶體。
場效電晶體（包括結型和絕緣柵型）的漏極與源極通常製成對稱的，漏極和源極可以互換使用。
但是有的絕緣柵場效電晶體在製造產品
時已把源極和襯底連線在一起了
，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳，形成四個管腳。一般情況p襯底接低電位，n襯底接高電位。
9樓：匿名使用者
對於絕緣柵nmos管，接高壓為漏端，接低壓為源端。pmos剛好相反。從原理上，nmos載流子是電子，由低電壓處提供，所以低壓端稱源端，pmos載流子是空穴，由高壓處提供，所以高壓端稱源端。
10樓：一梔穿雲箭
源極: 引入載流子
漏極: 漏出載流子
N6 BA I BA NAA N6 NAA MS NAA MS IBA這些是什麼東西，有什麼用
親,這是植物培養中用的培養基配方 6 ba 化學名稱 6 苄氨基腺嘌呤,熔點 230 233 物化性質 白色結晶粉末，難溶於水，微溶於乙醇，在酸 鹼溶液中穩定 理化性質 純品為白色結晶，工業品為白色或淺黃色，無臭。純品熔點235 在酸 鹼中穩定，光 熱不易分解。水中溶解度小，為60毫克 升，在乙醇 ...
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